Cтраница 2
Обратимый пробой наступает при сравнительно низком напряжении ( 1 / Ст-8 В), поэтому мощность, выделяющаяся в р - n - переходе при прохождении допустимого обратного тока, недостаточна для необратимого теплового пробоя. Превышение предельно допустимого обратного тока стабилитрона приводит, как и в обычных диодах, к выходу его из строя. При подаче на стабилитрон прямого напряжения он проводит ток, как обычный диод. [16]
Однако если приложить к газотрону большое переменное напряжение, то при отрицательном напряжении на аноде часть положительных ионов, оставшихся в газе, бомбардирует анод, выбивает из него электроны и создает условия для прохождения обратного тока. Этот процесс называют обратным зажиганием. Его нельзя допускать, так как это нарушает нормальную работу потребителя, питающегося от газотрона, и, кроме того, быстро выводит газотрон из строя. [17]
![]() |
Временные диаграммы при запирании диода. [18] |
В начале процесса обратного восстановления напряжение на диоде изменяется слабо, а небольшое снижение прямого напряжения происходит вследствие изменения знака падения напряжения в ООЗ, что связано с изменением направления тока. Длительность прохождения обратного тока, показанная на рис. 2.7, обозначается как t - время обратного восстановления. Это время прямо пропорционально величине обратного тока / и заряду Q, который накоплен в / - области. Обратный ток не устраняется только изменением запасенного заряда. Он изменяется также вследствие рекомбинации носителей. При / о6р / почти весь заряд выносится из / - области за время много меньшее, чем та, и только малая его часть исчезает из-за рекомбинации. В пределе, если / обр 0, заряд полностью исчезает в результате рекомбинации, и в этом случае t та. [19]
Тепловой пробой полупроводниковых элементов возникает вследствие лавинообразного нарастания температуры р-п-перехода, к которому приложено большое обратное напряжение. Выделяемая за счет прохождения обратного тока мощность разогревает переход. При этом обратный ток увеличивается, вызывая увеличение выделяющейся мощности. Если не созданы нормальные условия теплоотвода и тепло не успевает рассеиваться, то быстрое нарастание температуры переходов ведет к разрушению элемента. [20]
К сожалению, работа его схем связана с прохождением обратного тока сетки, что ухудшает стабильность ламп. [21]
Начиная с вентилей размерами 75X75 мм, комплектуются выпрямители, собранные по схеме трехфазного моста. В соответствии с особыми условиями работы вентилей в трехфазной схеме ( более длительное время прохождения обратного тока) величина подводимого переменного напряжения снижается на 12 - 15 % по сравнению с другими схемами выпрямления. Так, для вентилей класса Г она равна 22 в вместо 25 в, а для вентилей класса Е - 30 в вместо 35 в. [22]
Улучшение качества покрытий за счет получения необходимой структуры осадка достигается реверсированием тока, которое ускоряет процесс осаждения благодаря применению плотностей тока в 3 - 4 раза больших, чем при электролизе без реверсирования. Реверсирование должно производиться через короткие промежутки времени порядка 10 - 15 сек, при этом время прохождения обратного тока должно составлять 10 - 20 % от времени прохождения прямого тока. [23]
Для генераторов переменного тока применяются следующие типы регуляторов напряжения: вибрационные одноступенчатые, вибрационные двухступенчатые, контактно-транзисторные к бесконтактные транзисторные. Общей чертой регулирующих устройств для генераторов переменного тока является отсутствие реле обратного тока, в котором нет надобности, так как выпрямители препятствуют прохождению обратного тока батареи через обмотку статора. На автомобилях с карбюраторными двигателями при выключении зажигания выключается ток в обмотке возбуждения генератора, что предотвращает разряд батареи через эту обмотку во время стоянки. На дизельных автомобилях ток в обмотке возбуждения прерывается включателем массы. [24]
Ближайшим результатом передвижения ионов к электродам должен быть переход к новому равновесию между числом создаваемых и числом исчезающих ионов; это равновесие перемещается в сторону уменьшения плотности ионов в средней части пластинки, вследствие чего электропроводность и сила тока падают. При сильном токе может оказаться, что, несмотря на обеднение ионами средней части пластинки, электропроводность ее несколько возрастет. Очевидно также, что для тока противоположного направления приэлектрод-ные ионы имеют большее значение, так как они движутся сквозь всю толщу пластинки. Спустя некоторое время после прохождения обратного тока, все ионы снова равномерно распределяются по пластинке, повышая ее электропроводность. Роль тока обратного направления может взять на себя и поляризационный ток, но он только асимптотически приведет к равномерному распределению, так как концентрация ионов, как будет показано ниже, служит причиной его существования. Последняя стадия - постепенное уменьшение тока - объясняется нарастанием обратной электродвижущей силы; падение тока здесь не связано с изменением электропроводности. [25]
При данном условии барьер потоку электронов сильно возрастает, фактически прекращая электронный поток от полупроводника к металлу. Важной особенностью данной диаграммы является то, что барьер электронам, покидающим металл, снизился от первоначального значения Wm, поскольку существенно изменился слой поверхностного заряда, примыкающий к металлической поверхности. В основном обратный ток состоит из электронов, идущих от металла к полупроводнику. Вследствие того, что высота потенциального барьера зависит от напряжения, обратный ток является функцией обратного напряжения. Мощность, теряемая в диоде в результате прохождения обратного тока, является принципиальным фактором, определяющим допустимое обратное напряжение на диоде Шоттки. [26]