Прохождение - электрон
Cтраница 2
Этот процесс аналогичен прохождению электронов через вакуумный промежуток в диоде. На основании этих аналогий теория тонких запирающих слоев и была названа диодной теорией. [16]
Потеря энергии при прохождении электрона через вещество обусловлена процессом ионизации и излучением. Последнее возникает вследствие того, что ускорение или замедление заряженной частицы ( в данном случае электрона) сопровождается испусканием квантов электромагнитной энергии. Потери вследствие тормозного излучения называются радиационными потерями. [17]
 |
Распределение зарядов в / мг-слое. [18] |
Разность потенциалов, препятствующая прохождению электронов из и-германия в р-германий, называется потенциальным барьером. [19]
 |
Диаграмма различных процес.| Диаграмма различных процессов проводимости в тонкопленочном диэлектрике в слабых полях. [20] |
Поскольку вышеописанные процессы обусловлены прохождением электронов через диэлектрик, такая возможность существует также и для ионов, присутствующих в примесях или дефектах, которые самостоятельно перемещаются в теле под влиянием электрического поля. [21]
В общем случае при прохождении электронов через вещество могут происходить взаимодействия четырех типов, а именно: неупругие и упругие столкновения с атомными электронами и с ядрами. Электроны теряют свою энергию при прохождении через вещество в основном за счет неупругих столкновений со связанными атомными электронами. При этом происходят возбуждение и ионизация атомов среды. Если энергия электронов мала ( меньше 100 эв), могут происходить упругие столкновения таких электронов с атомными электронами. В этом случае падающий электрон отклоняется от своего первоначального направления распространения в поле атомного электрона атома отдачи. При таком столкновении движущийся электрон передает атому, как целому, энергию меньше той, которая соответствует наименьшему потенциалу возбуждения электронов атома. [22]
Формула ( 63) учитывает прохождение электронов сквозь потенциальный барьер, тогда как формула Шоттки ( 61) учитывает лишь понижение потенциального барьера. [24]
Основным путем биологического окисления является прохождение электронов от флавопротеидов к цитохромной системе, при помощи которой заканчивается путь электронов к кислороду. Восстановленные флавины, пиридиннуклеотиды и некоторые другие соединения окисляются при участии цитохромной системы в цепи реакций так называемого терминального ( конечного) окисления, протекающих в митохондриях. [25]
Как известно, многие задачи прохождения электронов или нейтронов через кристаллическое вещество, когда энергия частиц достаточно велика, могут решаться приближенно путем замены кристалла непрерывной средой с комплексным показателем преломления. [26]
Второе обстоятельство связано со спецификой прохождения электрона через щели в экране. [27]
Продолжительность этого импульса равна времени прохождения электрона. Так как число электронов велико и вылетают они хаотически, то в лампе течет постоянный ток, лишь незначительно колеблющийся вокруг своего среднего значения. Однако если за первой лампой включен чувствительный усилитель с большим коэффициентом усиления, то эти флуктуации усиливаются и на выходе усилителя колебание тока может оказаться значительным. [28]
 |
Прохождение электрона через хроматиду ( а или через сестринские хроматиды ( б. [29] |
На рис. 44 показана схема прохождения электрона через хроматидную нить. Эффективный хвост пробега электрона представлен отрезком PQ, остальная же, неэффективная часть - прерывистой линией. Чтобы отрезок пути PQ пересек хроматиду и остался параллельным направлению, в котором он начерчен, надо, чтобы точка Р находилась где-то в пределах объема, равного А ( I - 2г), где / - длина PQ, Л - площадь сечения хроматиды, обращенного к электрону, и 2г - средняя длина пробега электрона в хроматиде радиусом г. Площадь сечения хроматиды, обращенная к электрону, путь которого перпендикулярен ее оси, равна произведению длины хроматиды на ее диаметр. [30]
Страницы: 1 2 3 4