Прохождение - электрон
Cтраница 3
В соответствии с этими механизмами прохождения электронов через контакт зависимость тока от напряжения вычисляется по диффузионной или диодной теориям. [31]
 |
Схема включения трподов. [32] |
Сетка триода механически не препятствует прохождению электронов с катода на анод, они свободно проникают между ее витками. Но в момент нахождения в пространстве между катодом и сеткой электроны подвергаются воздействию электрического поля сетки. Следовательно, в этот момент электроны находятся лод воздействием суммарного электрического поля анода и сетки. [33]
Экранная сетка не должна препятствовать прохождению электронов от катода к аноду. С этой целью сетка выполняется из тонкого провода и на нее подается положительное напряжение. [34]
Таким образом, контроль за прохождением электронов через экран с щелями приводит к разрушению интерференции амплитуд и, как следствие, к исчезновению интерференционного распределения попаданий электронов на экране-детекторе. Контролирование делает различимыми альтернативы, отвечающие прохождению электрона через разные щели. [35]
 |
Движущийся барьер, работа выхода и электрохимический потенциал. [36] |
Охлаждение вследствие термоэлектронной эмиссии при прохождении электронов через высокий потенциальный барьер больше, чем нагревание при его возвращении через низкий барьер; общая мощность охлаждения превращается в электрическую энергию. [37]
Образование молекулярного иона происходит при прохождении электрона на расстоянии 0 5 А от одного из валентных электронов с последующим отрывом последнего; вероятность получения осколочных ионов пропорциональна энергии ионизирующих электронов. [38]
Картина кикучи-линии, полученная при прохождении электронов с энергией 483 кэВ через кристалл алюминия. [39]
В квантовой теории, когда допустимо прохождение электронов сквозь потенциальный барьер, для потенциальной энергии можно ограничиться выражением (6.42) и не учитывать сил электрического изображения, поскольку учет последних лишь весьма незначительно изменит окончательный результат. [40]
Фотоэлемент, в котором свет вызывает прохождение электронов через запирающий слой между проводником и полупроводником. [41]
Электрическое поле в лампе определяет условия прохождения электронов от катода к аноду и тем самым зависимость тока анода от напряжения на аноде. [42]
 |
Структура поверхностного слоя германия ( а и расположение быстрых и медленных поверхностных состояний ( изгиб зон у поверхности непоказан ( б. [43] |
Это обусловлено тем, что вероятность прохождения электронов сквозь окисный слой, являющийся излятором, весьма низка. С увеличением толщины окисной пленки постоянная времени увеличивается. [44]
 |
Схема электропограммы. [45] |
Страницы: 1 2 3 4