Процесс - запирание - транзистор
Cтраница 2
По сравнению со схемами ДТЛ рассмотренная схема основного логического элемента ТТЛ имеет ряд достоинств: более высокое быстродействие вследствие формирования процесса запирания транзистора и технологичность, приводящая к экономии площади кристалла. [16]
После прекращения отпирающего сигнала ( и даже если немедленно вслед за этим на управляющий электрод поступит запирающий сигнал обратной полярности) ток в цепи коллектора мгновенно не прекращается; при этом процесс запирания транзистора длительнее процесса его отпирания. Последнее явление объясняется следующими причинами. Когда транзистор находится в состоянии насыщения, коллектор инжектирует в область базы неосновные носители. В результате в области базы происходит накапливание неосновных носителей. [17]
 |
Усредненная зависимость. [18] |
Величина ( Уком на эквивалентной схеме транзисторного ключа ( см. рис. 2 - 31) определяется выражениями ( 2 - 153), ( 2 - 154), ( 2 - 159) и ( 2 - 160) в тех случаях, когда необходимо более точно воспроизвести процесс отпирания транзистора, и выражениями ( 2 - 156), ( 2 - 157), ( 2 - 162) и ( 2 - 163), когда нужно более точно воспроизвести процесс запирания транзистора. [19]
 |
Схема типа ТТЛ с простым инвертором.| Схема типа ТТЛ со сложным инвертором и логическим расширителем. [20] |
Основное преимущество схемы ТТЛ перед другими типами логических ИМС заключается в их высоком быстродействии, основанном на активном действии механизма переключения входного транзистора. В процессе запирания транзистора VT2 заряд, накопленный в его базе, разряжается через входной транзистор, чем обеспечивается его активное рассасывание. [21]
Для того чтобы начался процесс запирания транзистора Т3, необходимо, чтобы открылся один аз эмит-терных переходов транзистора МТ. [22]
 |
Принципиальная схема контактно-транзисторной системы зажигания с транзисторным коммутатором ТКЮ2. [23] |
При этом во вторичной обмотке катушки зажигания протекают процессы, аналогичные процессам в контактных системах зажигания. Импульсный трансформатор Т обеспечивает ускорение процесса запирания транзистора VT, а стабилитрон VD2 - его защиту от перенапряжений. [24]
Время рассасывания неосновных носителей в сплавных транзисторах малой мощности примерно 1 мксек, а в мощных транзисторах достигает десятков микросекунд. Вследствие различия в скоростях диффузионного движения неосновных носителей процесс запирания транзистора еще более удлиняется, однако по сравнению со временем рассасывания этим удлинением практически можно пренебречь. [25]
Время рассасывания неосновных носителей в сплавных транзисторах малой мощности около 1 мкс, а в мощных транзисторах достигает десятков микросекунд. Вследствие различия в скоростях диффузионного движения неосновных носителей процесс запирания транзистора еще удлиняется, однако по сравнению со временем рассасывания этим удлинением практически можно пренебречь. [26]
 |
Мультивибратор с блокировкой коллекторных потенциалов. [27] |
Поэтому в конце стадии регенерации соответствующий конденсатор оказывается отключенным от запертого транзистора и последующий заряд его не влияет на величину коллекторного потенциала. Следовательно, длительность отрицательного фронта будет определяться только процессом запирания транзистора и, как в обычном ключе, может составлять всего несколько та. Однако восстановление напряжения на конденсаторе происходит с постоянной времени CRa, которую нельзя сделать сколь угодно малой. В самом деле, при открытом состоянии транзистора резисторы R3 и RK соединены параллельно через открытый диод. Следовательно, если R3 RK, то мощность, потребляемая схемой, существенно возрастает. [28]
В представленной на рис. 37.98 схеме ДПН реализован принцип эмиттерного запирания силовых транзисторов, который, как известно, является эффективным способом устранения явления вторичного пробоя и повышения надежности работы ключевых схем. Этот способ, кроме того, позволяет существенно сократить продолжительность процесса запирания транзистора и тем самым уменьшить в нем коммутационные потери. [30]
Страницы: 1 2 3