Процесс - запирание - транзистор
Cтраница 3
После прекращения отпирающего сигнала ( и даже если немедленно вслед за этим на управляющий электрод поступит запирающий сигнал обратной полярности) ток в цепи коллектора мгновенно не прекращается; при этом процесс запирания транзистора существенно длительнее процесса его отпирания. Последнее объясняется следующими причинами. В результате в области базы транзистора, находящегося в состоянии насыщения, происходит накапливание неосновных носителей. После прекращения действия отпирающего сигнала ( или при поступлении на управляющий электрод запирающего сигнала) требуется некоторое время для того, чтобы накопившиэся в области базы неосновные носители рассосались настолько, чтобы на коллекторном переходе восстановилось отрицательное напряжение. [31]
Так, например, если задерживается запирание одного из транзисторов двухпозпционного ключа, то в переходном режиме возникает состояние, когда оба транзистора открыты, и, так как в цепи коллектор - эмиттер отсутствуют ограничительные сопротивления, через транзисторы протекают большие неуправляемые токи. Это может привести к перегрузке транзисторов и выходу их из строя. Форсирование процесса запирания транзистора позволяет существенно уменьшить длительность опасного состояния и облегчить тем самым режим работы транзисторов. В отличие от транзисторных диодные ключевые схемы для переключения измерительных цеггей используются редко, что объясняется их худшими коммутационными параметрами. [32]
После выхода транзистора Т из режима насыщения напряжение на его коллекторе увеличивается и становится больше UKn. Соответственно напряжение на коллекторной обмотке уменьшается, получая отрицательное приращение. Благодаря тому, что начала обмоток включены так, как показано на рис. 6.112, положительное приращение напряжения на коллекторе вызывает отрицательное приращение напряжения на базе транзистора. Начинается процесс запирания транзистора, который при выполнении условия (6.27) развивается лавинообразно и заканчивается его выключением. За короткое время выключения транзистора, соответствующее формированию среза выходного сигнала, ток намагничивания / не успевает существенно измениться и остается равным / тах. [33]
 |
Мультивибратор с блокировкой коллекторных потенциалов. [34] |
Схема, показанная на рис. 17 - 6, а, позволяет получить длительность отрицательного фронта, практически равную длительности положительного фронта. Однако максимальная скважность импульсов в таком мультивибраторе оказывается меньше, чем в простой схеме. Во время стадии регенерации ток через диод, присоединенный к коллектору запирающегося транзистора, уменьшается и делается равным нулю. Поэтому в конце стадии регенерации соответствующий конденсатор оказывается отключенным от запертого транзистора и последующий заряд его не влияет на величину коллекторного потенциала. Следовательно, длительность отрицательного фронта будет определяться только процессом запирания транзистора и, как в обычном ключе, может составлять всего несколько та. Однако восстановление напряжения на конденсаторе происходит с постоянной времени CR3, которую нельзя сделать сколь угодно малой. В самом деле, при открытом состоянии транзистора резисторы R3 и RK соединены параллельно через открытый диод. Следовательно, если R3 sg RK, то мощность, потребляемая схемой, существенно возрастает. Принятая величина R1 соответствует границе насыщения открытого транзистора. [35]
 |
Коллекторные характеристики транзистора. [36] |
В течение времени прямого хода триод открыт и коллекторный ток нарастает по линейному закону, причем в первую половину прямого хода величина отклоняющего тока определяется суммой токов транзистора ( в направлении обратной проводимости) и демпфирующего диода. Во вторую половину прямого хода диод заперт и транзистор проводит в прямом направлении. В конце прямого хода, когда отклоняющий ток достигает максимальной величины ( / нт определяется током насыщения транзистора), на сетку триода поступает положительный импульс и триод запирается. При этом в контуре LKC0 возникают свободные колебания и напряжение на отклоняющих катушках изменяется по синусоидальному закону. Следует заметить, что вследствие инерционности рассасывания неосновных носителей на коллекторном переходе имеет место затягивание процесса запирания транзистора. [37]
Страницы: 1 2 3