Процесс - зародышеобразование
Cтраница 1
 |
Изменение изобарно-изо-термического потенциала AZ при образовании участка новой фазы в зависимости от его радиуса т при различных значениях межфазной поверхностной энергии а. [1] |
Процесс зародышеобразования ( нуклеация) представляет собой зарождение частиц новой фазы внутри исходной жидкой фазы. Не всякий образовавшийся вследствие флуктуации зародыш дает начало росту частиц новой фазы, так как он может распасться на отдельные молекулы в том - случае, когда его размеры меньше некоторых критических при данном пересыщении среды. Только при образовании зародыша с размером гГкр начинается его рост с уменьшением AZ, происходящий самопроизвольно и приводящий к образованию участка новой фазы. [2]
Процесс зародышеобразования, как известно, зависит от температуры роста, скорости поступления атомов ( молекул), обеспечивающих рост кристалла, от степени дефектности поверхности кристаллизации и присутствия примесных атомов на ней. При снижении температуры повышается вероятность зародышеобразования: сокращается критический размер-зародышей. В том же направлении влияет и увеличение количества примесных атомов на поверхности кристаллизации, а также повышение ее дефектности. При уменьшении скорости поступления атомов на поверхность понижается вероятность зародышеобразования и увеличивается критический размер зародышей. К такому же выводу пришел Кикучи [7], изучавший влияние величины потока атомов на процесс зародышеобразования. [3]
Процессы зародышеобразования в гетерогенной реакции, по-видимому, можно охарактеризовать лишь чисто качественно. Поэтому обычно ограничиваются формальным описанием. [4]
Процессы зародышеобразования, обусловленные активацией зародышей, труднее поддаются описанию по сравнению с процессами зародышеобразования с одинаковой вероятностью. Действительно, в этом случае надо одновременно задать распределение потенциальных зародышей и закон их активации. Здесь рассмотрены только законы зародышеобразования. Учитывается, что скорость процессов зародышеобразования зависит от времени и, кроме того, от числа оставшихся зародышей. [5]
Процесс зародышеобразования может быть значительно ускорен, если в раствор, находящийся в метастабильной области Ма, ввести затравку из мелких кристаллов растворенного вещества. Возникновение и рост новых центров кристаллизации инициируется затравочными кристаллами. Это значит, что вблизи поверхности затравочного кристалла образуются участки раствора, находящегося в метастабильной зоне М3 или лабильной области L, где образование зародышей происходит достаточно быстро. [6]
Процесс зародышеобразования в подобных системах вызван существованием гетерофазных флюктуации, а их концентрация пропорциональна запасу внутренней энергии твердого тела. Поэтому зависимость концентрации зародышей новой фазы от температуры принимается подобной зависимости теплоемкости данного твердого тела от температуры. Известно, что энергия активации процесса роста всегда меньше энергии активации процесса зародышеобразования, поэтому после образования зародышей немедленно происходит их рост. Процесс роста приводит к основным изменениям в структуре вещества. Зародыше-образование и рост являются независимыми процессами, порожденными флюктуациями. [7]
Механизмы процессов зародышеобразования и роста кристаллов, возможно, близки между собой, однако энергия активации зародышеобразования больше энергии активации роста кристаллов. [8]
 |
Зависимость скорости роста кристаллов полиэтилена от. [9] |
Разделение процессов зародышеобразования и роста кристаллов типа шиш-кебаб было осуществлено Пеннингсом и др. [305] внесением в раствор зародышей. [10]
Существование процессов зародышеобразования экспериментально установлено [133-141] не только в случае собственно поверхностных реакций, но и в случае адсорбционных взаимодействий. [11]
В процессах зародышеобразования по первому порядку возможны два предельных случая: мгновенное зародышеобразование и зародышеобразова-ние с постоянной скоростью. Первый рассмотренный ранее случай соответствует очень большой величине константы kgi. Во втором случае, наоборот, необходимо предположить, что константа kgi мала и что число потенциальных зародышей v0 велико по сравнению с числом фактически появившихся зародышей. [12]
При исследовании процессов зародышеобразования встречается одна существенная трудность. Дело в том, что в ходе химического процесса зародышеобразования происходит очень незначительное изменение количества вещества. Эти процессы, по-видимому, почти невозможно фиксировать химическими методами. Что касается изменений физических характеристик, то их чаще всего трудно интерпретировать. Поэтому о процессах зародышеобразования известно очень мало. Достоверно известно только, что в ходе этих процессов образуется продукт реакции. [13]
Оба эти процесса зародышеобразования определяют рост кристалла. [14]
Параллельно с процессом зародышеобразования на поверхности подложки идет процесс удаления пленки окиси. Таким образом, часть окиси удаляется, а часть при развитии и коалесценции островков захватывается п включается в растущий эпитаксиаль-ный слой. [15]
Страницы: 1 2 3 4