Процесс - зародышеобразование
Cтраница 2
Таким образом, процессы зародышеобразования можно довольно активно регулировать с помощью температуры, введения растворимых и нерастворимых добавок, воздействия различных электромагнитных полей. [16]
 |
Диаграмма состояний раствора.| Зависимости концентрации зародышей ( N и скорости их образования ( dN / dr от времени ( т. [17] |
Таким образом, процесс зародышеобразования начинается не сразу, имеет продолжительный инкубационный период, а в целом он является достаточно длительной стадией массовой кристаллизации, что существенно снижает производительность технологических процессов. [18]
Таким образом, процесс зародышеобразования может протекать либо мгновенно, либо спорадически в зависимости от соотношения времени, необходимого для достижения предельного значения концентрации зародышей, и времени, необходимого для завершения процесса кристаллизации. [20]
Для полного описания процесса зародышеобразования необходимо знать следующие основные характеристики: 1) размер критического зародыша в зависимости от условий роста; 2) скорость образования и концентрацию зародышей критической величины с учетом возможного их изменения со временем в зависимости от условий конденсации; 3) структуру и ориентацию зародышей. [21]
Аналогично по механизму процесса зародышеобразования должно происходить испарение слоев с совершенной кристаллической поверхности, если ребра кристалла защищены от ненасыщенного пара. [22]
Повышение температуры обычно замедляет процесс зародышеобразования и увеличивает скорость роста кристаллов. Регулируя температуру, при которой осуществляется процесс кристаллизации, можно иногда изменить крупность получаемых кристаллов. [23]
Выведем формулы, описывающие процесс зародышеобразования на основе различных закономерностей появления первичных зародышей, относящихся либо к активации потенциальных центров, либо к зародыше-образованию в каждой точке, которое происходит с одинаковой вероятностью. [24]
Метод применим, когда процесс зародышеобразования локализован на внешней поверхности кристалла и протекает достаточно медленно, так что зародыши образуют отдельные небольшие кристаллы. [25]
Если, скажем, процесс зародышеобразования был первоначально мгновенным и таким же остался, то изменение режима первого рода в этом случае можно наблюдать в чистом виде независимо от того, идет ли речь об образовании защитного слоя или нет. [26]
Основными объектами исследования выбраны процессы зародышеобразования меди и серебра на стеклоуглероде, являющиеся классическими моделями начальных стадий электрокристаллизации. Нанесение зародышей металла на предварительно стандартизированную зеркальную поверхность стеклоуглерода осуществляли двухимпульсным потенциостатическим или гальваностатическим методами. [27]
В настоящее время существование процессов зародышеобразования такого типа нельзя считать окончательно установленным. [28]
Указанные способы оценки роли процессов зародышеобразования не являются единственно возможными. [29]
Можно было бы рассмотреть еще процессы зародышеобразования при взаимодействии потенциальных зародышей с растворенными в твердом теле химическими частицами, которые постепенно расходуются по мере протекания процесса. Эти процессы аналогичны тем, которые были использованы для объяснения зародышеобразования с одинаковой вероятностью при порядках реакции больше единицы. Однако вывод формул для их описания здесь не дается по тем же причинам, что и в случае зародышеобразования с одинаковой вероятностью. [30]
Страницы: 1 2 3 4