Процесс - изготовление - прибор
Cтраница 3
Совершенно обязательно при этом принимать во внимание большое число факторов. Должны учитываться эксплуатационные требования, предъявляемые к приборам, устройствам и комплексным системам автоматического управления. Необходимо наиболее полно реализовывать преимущества, характерные для приборов пневмоники: высокую эксплуатационную надежность, большую для пневмоавтоматики скорость выполнения операций, конструктивную простоту, малые размеры элементов и приборов и др. Важное значение имеют также такие факторы, как технологичность конструкций, возможность автоматизации в условиях серийного производства процессов изготовления приборов. Способ построения приборов нужно выбирать с учетом минимальной стоимости их изготовления и учитывать при этом максимальную экономическую эффективность эксплуатации устройств. [31]
Причина возрастания тока Ук связана с возрастанием тока утечки по поверх-ности перехода и умножением в нем носителей заряда. В связи с этим i-базу часто называют толстой, а р2 - базу - тонкой. Требуемая зависимость коэффициентов а от тока создается в процессе изготовления приборов. Например, широко применяется шунтирование третьего перехода, что приводит к уменьшению эффективности эмиттера транзистора VT2 и коэффициента а2 в области малых токов. [32]
Каждый прибор имеет две неподвижные измерительные катушки. В табл. 18 приведены намоточные данные для одной катушки. Магнитопровод и экран измерительного механизма выполнены из пермаллоя. Часть магнитопровода может сдвигаться относительно сердечника; таким путем можно отрегулировать длину шкалы в процессе изготовления прибора или при ремонте его. [33]
Стремление к уменьшению зависимости параметров от режима работы связано еще с тем, что такая зависимость может быть источником нежелательных нелинейных искажений при работе схемы. Зависимость параметров от режимов затрудняет расчет схем, а иногда делает его вообще невозможным. Легко видеть, что требование слабой зависимости параметров от режима и температуры для мощных приборов труднее обеспечить, а невыполнение этого требования сказывается сильнее, чем в маломощных транзисторах. Надо отметить, что если обеспечение требований, рассмотренных в начале этого раздела, в значительной мере определяется конструкцией прибора и уровнем технологии его изготовления, то получить слабую зависимость параметров от температуры и режима сложно в принципе, а иногда и невозможно, так как по большей части она определяется такими физическими свойствами и параметрами исходного материала ( германия или кремния), которыми нельзя управлять В процессе изготовления приборов. [34]
Для обеспечения требуемой глубины вплавления материала в слой полупроводника с электронной проводимостью, полученный путем диффузии, толщина слоя, наносимого при испарении, и условия последующего вллавления тщательно контролировались. При изготовлении приборов, устройство которых показано на рис. 4 6, в качестве примеси, вводимой путем диффузии, использовалась сурьма. Для создания области полупроводника с дырочной проводимостью по-прежнему использовался алюминий, нанесенный на поверхность пластины путем испарения в вакууме. В процессе изготовления прибора, устройство которого показано на рис. 4 е, использовалась диффузия сурьмы; для вплавления использовались алюминий и сплав золота с сурьмой, нанесенные на поверхность пластины путем испарения в вакууме. [35]
Чаще всего окисленная часть спая протягивается во внешний слой стенок трубки при изготовлении тройниковых и внутренних спаев, при впаивании остеклованных металлов в прибор, при запаивании широких отверстий и удалении наплывов из спаев. Прежде всего необходимо избегать окисления спая. Однако в процессе изготовления приборов это не во всех случаях возможно. [36]
 |
Вольт-амперная характеристика тиристора.| Зависимость коэффициентов передачи тока анодного тока тиристора. [37] |
По мере роста анодного напряжения ( участок б-в), а следовательно, и напряжения на коллекторном переходе ток через коллектор становится большим, чем / к0, / к / ко, вместе с возрастанием / к увеличивается и / а. Причина возрастания тока / к связана с возрастанием тока утечки по поверхности перехода и умножением в нем носителей заряда. В связи с этим лгбазу часто называют толстой, а рг - 6азу - тонкой. Требуемая зависимость коэффициентов а от тока создается в процессе изготовления приборов. Например, широко применяют шунтирование третьего перехода, что приводит к уменьшению эффективности эмиттера транзистора VT2 и коэффициента а2 в области малых токов. [38]
 |
Схема оксидного катода. [39] |
На поверхность керна наносится слой полупроводящего покрытия, состоящий из окислов бария, стронция и кальция в различных процентных соотношениях. Покрытие очень редко бывает гладким и плотным. Большей частью оно имеет ярко выраженную шероховатость и пористость. Глубина ямочек поверхности достигает половины толщины покрытия. Наиболее употребительны покрытия толщиной от 30 до 100 мк. Между покрытием и керном как в процессе изготовления прибора, так и в процессе его эксплуатации образуется промежуточный слой. [40]
Электроны движутся от истока, который обычно заземлен, вдоль поверхности полупроводника к стоку по каналу - типа, возникающему при положительном напряжении иа затворе. Четвертый контакт, омический, наносится с тыльной стороны кремниевой подложки р-типа. Напряжения на затворе, стоке и подложке ( по отношению к заземленному истоку) обозначаются соответственно символами VG, VDK Кподл. Слой двуокиси кремния, выращенный на кремнии методом термического окисления, удовлетворяет высоким требованиям, предъявляемым к диэлектрическим слоям в МДП-транзисторах. Он содержит относительно малое число центров захвата и формирует на поверхности кремния высокий потенциальный барьер и для электронов, и для дырок, так что лишь пренебрежимо малое число носителей заряда проникает в слой диэлектрика и захватывается там ловушками. Кроме того, SiO2 характеризуется большой величиной электрического поля пробоя ( - 107 В см 1), что позволяет достигнуть значительной плотности заряда, индуцированного в приповерхностной области кремния. Индуцированный заряд намного превышает заряд на поверхностных состояниях, плотность которых на границе раздела кремний - двуокись кремния при соответствующей ее обработке относительно мала. Кроме того, слой двуокиси кремния, выращенный методом термического окисления, достаточно стабилен, если в процессе изготовления прибора обеспечивается отсутствие быстродиффунди-рующих ионов, в частности натрия. Значительные успехи в технологии получения высококачественных границ раздела кремний - двуокись кремния, достигнутые в процессе совершенствования полевых тоанзисторов, сделали эту систему доступной и интересной для фундаментальных научных исследований. [42]
Страницы: 1 2 3