Cтраница 1
Активные элементы интегральных схем. о - диод. б - транзистор. [1] |
Процесс изготовления транзисторов ( рис. 52, б) диффузионным методом предусматривает подготовку основания, получение диффузионного слоя и коллекторного перехода р - я-типа, нанесение эмиттера, базы и коллектора. На основание из кремния р-типа наносится диффузионный слой - типа. Эмиттерный электрод изготовляют из материала р-типа, например, из алюминия. Базовый электрод - из материала n - типа, например, из золота с добавлением примеси. В качестве коллектора используется полупроводниковое основание схемы р-типа. Планарный метод изготовления транзисторов предусматривает расположение переходов эмиттер - база и коллектор - база на одной плоскости основания схемы. [2]
Подача рабочих смещений на транзисторы р-п - р и п-р - п.| Распределение токов в транзисторе р-п - р. [3] |
В процессе изготовления транзистора структуры р-п - р в область эмиттера вводится большее количество акцепторной примеси, чем в область базы донор-ной примеси. [4]
Величина s может изменяться в зависимости от способов обработки поверхности в процессе изготовления транзистора. Несмотря на попытки свести величину s к минимуму, определенная часть дырок не достигает коллекторного перехода из-за рекомбинации на поверхности и должна быть учтена. [5]
Для изготовления подобных структур можно использовать технологический процесс с четырьмя фотошаблонами, эквивалентный по сложности процессу изготовления дискретных биполярных планар-ных транзисторов или базовой технологии схем МДП-типа. Это позволяет изменять ее рабочую частоту простым изменением тока инжектора и значительно ( на четыре-пять порядков) уменьшать ток в схеме без нарушения ее логического состояния в тех случаях, когда она не работает в предельном частотном режиме или вообще должна находиться в нерабочем состоянии. [6]
Поскольку pF сильно меняется при незначительном изменении cif, невозможно точно регулировать величину параметра 3F в процессе изготовления транзисторов. [7]
При изготовлении транзисторов осуществляется, кроме того, ряд других технологических операций, связанных с получением заготовок монокристаллических полупроводниковых пластин, с удалением в процессе изготовления транзисторов различных участков полупроводниковых кристаллов, с созданием контактов, со сборкой и др. В настоящем разделе мы упомянем о некоторых, наиболее существенных из этих операций. [8]
Наиболее широкое распространение в полупроводниковых ИМС нашли диффузионные резисторы, которые изготовляют на диффузионных слоях базовой или эмиттерной области транзисторной структуры и формируют непосредственно в процессе изготовления транзистора, а также пинч-резисторы. [9]
Полярность напряжений между электродами полевых транзисторов в рабочем режиме. [10] |
МДП-транзисторы с технологически встроенным каналом имеют канал и - или р-типа. Встроенный в процессе технологического изготовления транзистора канал самоизолируется от подложки обедненным слоем р-п перехода. Основная особечность МДП-транзисторов со встроенным каналом заключается в возможности их работы в режиме объединения и обогащения встроенного канала подобно рассмотренной выше работе МДП-транзистора с индуцированным каналом и-типа. [11]
Полярность напряжений между электродами полевых транзисторов в рабочем режиме. [12] |
МДП-транзисторы с технологически встроенным каналом имеют канал и - или / 7-типа. Встроенный в процессе технологического изготовления транзистора канал самоизолируется от подложки обедненным слоем р-п перехода. Основная особенность МДП-транзисторов со встроенным каналом заключается в возможности их работы в режиме объединения и обогащения встроенного канала подобно рассмотренной выше работе МДП-транзистора с индуцированным каналом и-типа. [13]
Следует отметить, что одним из существенных недостатков транзисторов является относительно высокая нестабильность их параметров и характеристик. Причины нестабильности следующие: разброс параметров в процессе изготовления однотипных транзисторов; влияние температуры окружающей среды; влияние радиоактивных излучений; изменение параметров с изменением частоты усиливаемых сигналов; изменение параметров при старении транзисторов с течением времени. [14]
Схемы с общей базой и общим затвором. [15] |