Cтраница 2
Такую схему называют схемой с общим ( заземленным) затвором. Сокращенным словом подл обозначен дополнительный вывод подложки, присоединенный к основанию пластины, используемой в процессе изготовления транзистора. [16]
Метод тройной диффузии не позволяет получать транзисторы с высоким коэффициентом усиления, который зависит от эффективности инжекции перехода эмиттер-база. Тройная диффузия не дает возможности создавать большие градиенты концентрации примеси на этом переходе, так как в процессе изготовления транзистора необходимо выполнять условие NSa NS6 NSK Nn, где NS9, N 6, SK - поверхностные концентрации примеси при диффузии эмиттера, базы и коллектора; Na-концентрация примеси в подложке. [17]
Резистивные элементы, используемые в полупроводниковых ИМС, можно подразделить на диффузионные резисторы, формируемые на основе эпитаксиального слоя, пинч-резисторы и резисторы, получаемые методом ионного легирования. Наиболее широкое распространение в полупроводниковых ИМС ашли диффузионные резисторы, которые изготовляют на диффузионных слоях базовой или эмиттерной области транзисторной структуры и формируют непосредственно в процессе изготовления транзистора, а также пинч-резисторы. [18]
Недостатком эпитаксиальных транзисторов следует считать трудности получения однородных пленок на больших площадях. От этого недостатка свободен ламинарный транзистор, изготовленный методом тройной диффузии. Изготовление транзистора начинается получением из твердой фазы слоя п в исходном вы-сокоомном кремнии. Пластина подвергается предварительно осаждению пятиокиси фосфора на поверхность. Затем в печи в течение 50 ч проводится диффузия фосфора в кремнии. После диффузии область п сошлифовывают, оставляя тонкий слой - коллекторную область. Далее, на основе подготовленной пластины с коллектором начинается процесс изготовления планар-ного транзистора. [19]