Cтраница 1
Процесс ударной ионизации представляется в следующем виде. [1]
Обычно процессы ударной ионизации описывают с помощью коэф. [2]
Количественно процесс ударной ионизации характеризуется коэффициентами ударной ионизации, которые численно равны количеству пар носителей заряда, образуемых первичным носителем на единице пути. По аналогии с теорией электрического разряда в газах, коэффициенты ударной ионизации в полупроводниках обозначают а и ар. Коэффициенты ударной ионизации очень сильно зависят от напряженности электрического поля. [3]
Туннелиро-вание электронов из валентной зоны в зону проводимости при сильном электрическом поле в полупроводнике. [4] |
Количественно процесс ударной ионизации характеризуется коэффициентами ударной ионизации, которые численно равны количеству пар носителей заряда, образуемых первичным носителем на единице пути. По аналогии с теорией электрического разряда в газах коэффициенты ударной ионизации в полупроводниках обозначают а и ар. Коэффициенты ударной ионизации очень сильно зависят от напряженности электрического поля. [5]
Количественно процесс ударной ионизации характеризуется коэффициентами ударной ионизации, которые численно равны количеству пар носителей заряда, образуемых первичным носителем на единице пути. По аналогии с теорией электрического разряда в газах, коэффициенты ударной ионизации в полупроводниках обозначают а и ар. Коэффициенты ударной ионизации очень сильно зависят от напряженности электрического поля. [6]
В процессе ударной ионизации происходит резкое возрастание числа пар ионов, примерно в 10 - т - 10е раз. [7]
В процессе ударной ионизации происходит резкое возрастание числа пар ионов, примерно в 10 - 106 раз. Следовательно, если в газовом объеме возникнет даже одна пара ионов ( один положительный ион и один электрон), то благодаря ударной ионизации их число возрастет в миллионы раз. [8]
Схема лавинного пробоя.| Зависимость коэффициентов ионизации от напряженности электрического поля для германия. [9] |
Чтобы охарактеризовать процесс ударной ионизации, вводят коэффициенты ионизации для электронов а и дырок р которые равны числу пар, образуемых на единице пути движения носителя. [10]
За счет процессов ударной ионизации в чехле короны непрерывно создаются заряженные частицы обоих знаков. Частицы того же знака, что и коронирующий эл: ектрод, под действием электрического поля выходят из чехла короны во внешнюю область и постепенно перемещаются к проткзоположному электроду. [11]
С. ема ЛПД типа /, п-г. распределение напряженности. [12] |
Относительная инерционность процесса ударной ионизации и конечное значение времени пролета носителей через область пространственного заряда являются причиной запаздывания СВЧ-тока диода от напряжения. [13]
Выбитые электроны поддерживают процесс ударной ионизации газа. [14]
Теоретические ( линии и экспериментальные точки зависимости коэффициента размножения электронов в кремнии ап от обратного электрического поля при различных температурах. [15] |