Процесс - ударная ионизация
Cтраница 4
Полная скорость рекомбинации представляется суммой взятых с соответствующими весами скоростей четырех независимых процессов: рекомбинации электрона и дырки с передачей энергии и импульса электрону, дырке и плюс два обратных процесса ударной ионизации. [46]
Качественно закономерность объясняется следующим образом. Эффективность процессов ударной ионизации определяется, во-первых, средним числом столкновений электронов, приходящимся на единицу длины пути и, во-вторых, вероятностью того, что столкновение элек фона с молекулой или атомом закончится ионизацией. Одновременное действие этих двух факторов при разном диапазоне значений р к h обусловливает величину Unp газового промежутка: при малых ph в основном влияет первый фактор, а при больших - второй. [47]
 |
Кривые Пашена для газов. [48] |
Качественно ход кривой Пашена ( рис. 18.4) объясняется следующим образом. Эффективность процессов ударной ионизации определяется, во-первых, средним числом столкновений электронов, приходящимся на единицу длины пути и, во-вторых, вероятностью того, что столкновение электрона с молекулой или атомом закончится ионизацией. [49]
 |
Схема ЛПД и распределение напряженности электрического поля. [50] |
Поэтому на статической вольт-ампер-ной характеристике ЛПД нет участ-ков с отрицательным сопротивлением. Инерционность процесса ударной ионизации и конечное значение времени пролета носителей через область пространственного заряда являются причиной запаздывания СВЧ-тока диода от напряжения. [51]
Такое явление объясняется тем, что все первичные электроны, имеющиеся в междуэлектродном промежутке, участвуют в создании анодного тока. Интенсивность процессов ударной ионизации и вторичной электронно-ионной эмиссии в режиме насыщения незначительна, поэтому существенного увеличения числа свободных электронов за счет этих процессов не происходит. [52]
Область локального сильного поля характеризуется сильным искривлением энергетических зон, в результате чего создаются условия для туннельных переходов в направлении к острию основных носителей заряда: электронов - к положительному острию и дырок - к отрицательному. Взаимодействие в процессе ударной ионизации электронов и дырок проводимости с электронами, участвующими в образовании химических связей, приводит к нарушению соответствующих связей и переходу твердого вещества диэлектрика в состояние частично ионизированной газовой плазмы в направлении движения потока носителей заряда. Образуется начальный участок первичного канала пробоя, потенциал электрода выносится в его головную часть, и далее процесс идет непрерывно до тех пор, пока этот канал не пересечет весь разрядный промежуток. [53]
Пайпер и Вильяме [66] предполагают, что ударная ионизация центров люминесценции происходит около барьера обеднения вблизи отрицательного электрода, где возникает необходимая для этого большая величина напряженности поля. Электроны, участвующие в процессе ударной ионизации, освобождаются полем с уровней захвата. Однако эта теория рассматривает явления, относящиеся к монокристаллам. [54]
При возникновении лавинного пробоя в стабилитроне появляются шумы. Эти шумы являются отличительной особенностью процесса ударной ионизации. Вначале этот процесс неустойчив: он возникает, срывается, возникает снова. С увеличением тока процесс ударной ионизации становится устойчивым и шумы исчезают. В стабилитронах с напряжением стабилизации менее 6 В шумы практически отсутствуют, так как пробой в них имеет туннельный характер. [55]
 |
Спектральные характеристики.| Вольт-амперные характеристики вакуумного фотоэлемента. [56] |
Вольт-амперные характеристики газонаполненного фотоэлемента ( рис. 21 - 89) в начальной части напоминают характеристики вакуумного фотоэлемента, однако при большом напряжении начинается резкий рост фототока. Увеличение тока происходит в результате процесса ударной ионизации: свободные электроны, разгоняясь в электрическом поле, приобретают энергию, необходимую для ионизации нейтральных молекул газа. Освободившиеся в результате ионизации электроны устремляются на анод, а положительные иолы, бомбардируя катод, создают вторичную эмиссию электронов. Это приводит к дополнительному увеличению анодного тока Чувствительность газонаполненных фотоэлементов 31шчительно больше, чем вакуумных, и достигает 100 - 400 мка / лм. При большей величине анодного напряжения газовый разряд становится настолько интенсивным, что под действием ионной бомбардировки начинает разрушаться фотокатод. Предельно допустимая величина анодного напряжения называется напряжением зажигания, она является важной характеристикой газонаполненного фотоэлемента. [57]
От энергии электронов зависит частота их соударений с фононами и примесями. Концентрация электронов также определяется их энергией через процессы ударной ионизации и рекомбинации. Диэлектрическая проницаемость плазмы является функцией концентрации и частоты соударений и, следовательно, электромагнитного поля. Так возникает тепловое самовоздействие. [58]
Газообразные диэлектрики обладают высокими электроизоляционными свойствами только при низких напряжениях. В сильных электрических полях, когда начинается процесс ударной ионизации, проводимость газов резко возрастает. [59]
Ударная рекомбинация характеризуется передачей энергии, высвобождающейся при рекомбинации другому носителю, который рассеивает ее впоследствии при взаимодействии с колебаниями решетки. Ударная рекомбинация представляет собой процесс, обратный процессу ударной ионизации. Согласно [1791] этот механизм рекомбинации может играть существенную роль в Ge, причем сечения захвата в этом случае должны быть пропорциональными концентрации носителей тока. Найденная в [1748] независимость сечения захвата от концентрации показывает, что, по крайней мере, до: 1017 см-3 ударная рекомбинация в Ge не является доминирующей. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5