Процесс - испарение - вещество - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Христос Воскрес! А мы остались... Законы Мерфи (еще...)

Процесс - испарение - вещество

Cтраница 2


На поверхности графитовой трубки образуется тонкая пленка вещества, толщина которой составляет всего несколько микрометров, а возможно, и доли микрометра. Эти особенности принципиально изменяют механизм испарения вещества в ЭТА, поскольку при быстром нагревании пробы не успевает установиться равновесное состояние, так что уже нельзя пренебречь кинетикой происходящих процессов, в том числе и химических реакций. Поэтому приходится прибегать к приближениям иного рода, в которых в тон или иной степени учитываются кинетические факторы. Однако даже с их учетом количественные расчеты процессов испарения вещества пробы и атомизации и их влияния на формирование аналитического сигнала представляют собой трудную задачу, решаемую пока в сравнительно простых случаях.  [16]

Шунтирование дуги конденсатором 15 емкостью 20 - 30 мкф в значительной мере увеличивает энергию отдельных импульсных разрядов. При таком режиме дуги переменного тока, который для краткости называют искровым, наряду с другими спектральными линиями возбуждаются искровые линии металлов и металлоидов, а также газов. Кроме того, искровой режим дуги переменного тока оказывает меньшее тепловое воздействие на электроды и поэтому удобен для анализа легкоплавких проб и готовых изделий. Дуга переменного тока обеспечивает постоянство процесса испарения вещества электродов, что имеет особое значение для количественного спектрального анализа.  [17]

Райхбаум и Костюкова [101] расчетным способом показали, что при температуре плазмы 3000 - 5000 С некоторые металлы образуют устойчивые двухатомные молекулы. Это приводит к уменьшению концентрации свободных атомов и ослаблению интенсивности спектральных линий. Для элементов, образующих прочные соединения с кислородом, таких, как Zr, Be, Nb, Mo, Та, одним из путей повышения чувствительности определения является введение в пробу кремния, имеющего сродство к кислороду больше, чем эти металлы. В присутствии Са концентрация свободных атомов Li в плазме возрастает за счет связывания F-иона в устойчивое соединение CaF. Одновременно возрастает интенсивность молекулярной полосы CaF. Химические реакции в плазме электрической дуги и их роль при проведении спектральных определений изучены пока недостаточно. Можно отметить, что многообразие факторов, влияющих на процесс испарения веществ, позволяет управлять этим процессом в нужном для практических целей направлении.  [18]



Страницы:      1    2