Процесс - направленная кристаллизация
Cтраница 2
Для проведения процесса направленной кристаллизации расплава необходимо приготовить кварцевую ампулу ( для веществ, имеющих температуру плавления выше550 С), внешний диаметр которой позволял бы ей свободно перемещаться во внутренней полости печи лабораторной установки. [16]
Образующаяся в процессе направленной кристаллизации поверхность раздела упрочнитель - матрица обеспечивает в этом композите эффективную передачу нагрузки от матрицы к армирующей фазе. [17]
Важным фактором обеспечения процесса направленной кристаллизации является создание максимального градиента температуры в заданном направлении роста зерна и минимального - в других направлениях. Отвод теплоты осуществляется с одного конца отливки. При этом холодильник ( во-доохлаждаемый, жидкометаллический и др.) располагается в определенном месте отливки. Остальная часть формы нагревается до температуры, превышающей температуру кристаллизации сплава. Осевой температурный градиент часто создается за счет изменения температуры камеры нагрева, перемещения холодильника с отливкой относительно источника теплоты или, наоборот, источника теплоты относительно кристаллизующейся отливки. [18]
К в ходе процесса направленной кристаллизации, то целесообразно пользоваться методам. [20]
Работа посвящена исследованию процесса направленной кристаллизации в одномерном температурном поле, который заключается в получении кристаллического слоя на плоской, цилиндрической или сферической охлаждаемой стенке. [21]
По-видимому, в процессах направленной кристаллизации перемешивание расплава редко происходит в турбулентном режиме. Однако слой 6i существует и при перемешивании расплава в ламинарном режиме. [22]
Предположим, что в процессе направленной кристаллизации а const. Это позволяет интегрировать уравнение ( 8), что с применением граничного условия (2.23) гл. [23]
 |
Зависимость среднего коэффициента распределения от. [24] |
Условие (5.4) отражает интереснейшую особенность процесса направленной кристаллизации: малые обороты контейнера вокруг продольной оси не улучшают перемешивание расплава, а ухудшают. [25]
 |
К распределению примеси.| Неравновесные кривые распределения при приближении ka к единице. Значение. 0 для кривой / меньше, чем для кривой 2. [26] |
Правило о епостоянстве k в процессе направленной кристаллизации и закономерность ( 19) разрешают парадокс в уравнении Релея. [27]
С целью повышения глубины очистки вещества процесс направленной кристаллизации можно проводить многократно с отбрасыванием в конце каждого цикла некоторой части расплава, в которой концентрируется примесь. Для оценки эффекта очистки, достигаемого при проведении многократной направленной кристаллизации, примем, что доля незакристаллизовавшейся жидкости, отбрасываемой в виде хвостовой фракции, в конце каждого цикла одинакова и составляет хж. С учетом этого допущения на основании соотношения (III.8) нетрудно составить уравнение материального баланса для каждого цикла и всего процесса в целом. [28]
Выражения (11.100) и (11.101) справедливы для любого консервативного процесса направленной кристаллизации, однократного или многократного. [29]
Все вышеизложенное указывает на то, что процесс направленной кристаллизации при низких температурах обладает некоторым преимуществом перед зонной плавкой, возрастающим тем более, чем более низкоплавкий объект очищается. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5