Процесс - направленная кристаллизация
Cтраница 3
Выше уже говорилось, что основным недостатком процесса направленной кристаллизации является необходимость отделения некоторой части очищаемого вещества - операция, которая с трудом поддается автоматизированию и связана с уменьшением длины слитка, пместе с которой неминуемо убывает конечный выход очищенного продукта. [31]
Эффективный коэффициент распределения является основным технологическим параметром процессов направленной кристаллизации. [32]
Какие типы структур сплавов могут формироваться в процессе направленной кристаллизации отливок. [33]
 |
Зависимости y ( g no уравнению ( 3. [34] |
Если & const и &1, то в процессе направленной кристаллизации примесь накапливается в расплаве. Концентрация в бесконечно тонком слое твердого тела сосуществующем с этим расплавом, будет равна CskCL. [35]
Первый способ основан на том, что в процессе направленной кристаллизации искусственно создают условия, благоприятствующие возникновению концентрационного переохлаждения и, как следствие, слоистой структуры растущего кристалла. [36]
Эвтектические композиционные материалы ( ЭКМ) получают в процессе направленной кристаллизации сплавов, поэтому они называются естественными композитами. Для реализации такой строго ориентированной микроструктуры, которая дает наименьшую площадь поверхности раздела фаз или наименьшие значения удельной энергии межфазных границ, необходимо обеспечить плоскую поверхность между расплавом и кристаллизующимся твердым телом. [37]
Все изложенное выше указывает на то, что иногда процесс направленной кристаллизации при низких температурах получает определенное преимущество перед зонной плавкой, возрастающее тем более, чем более низкоплапкий объект очищается. [38]
Изложенные методы позволяют определить значение К для всех встречающихся на практике консервативных процессов направленной кристаллизации. В отдельных случаях целесообразно учитывать диффузионные параметры исследуемых систем. [39]
Фракционная кристаллизация на охлаждаемых поверхностях протекает в известной мере сходно с процессом направленной кристаллизации. Отличие состоит лишь в том, что в данном процессе фронт кристаллизации перемещается в результате направленного отвода теплоты, а не принудительного движения контейнера или холодильника. [40]
 |
Схема вытягивания монокристалла из расплава. [41] |
Выражение (4.11) позволяет оценить чистоту получаемого продукта в результате проведения re - кратного процесса направленной кристаллизации с отбором некоторой постоянной доли вещества хш 1 - х в качестве хвостовой фракции. Тем не менее применение этого метода ограничено вследствие его низкой производительности и длительности. [42]
 |
Схема установки для синтеза при направленной кристаллизации теллурида кадмия. [43] |
Для получения чистых кристаллов CdTe с определенными свойствами процесс синтеза совмещают с процессом направленной кристаллизации в лодочке, а синтезированный материал, содержащийся в той же лодочке и запаянный в той же ампуле, подвергают затем горизонтальной зонной плавке. [44]
Правило о несовпадении коэффициентов имеет простое качественное объяснение: эффективный коэффициент распределения в процессе направленной кристаллизации изменяется. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5