Cтраница 3
На рис. 3.14, а приведен образец на определенных этапах его статического деформирования, что позволяет проследить процесс локализации деформации в его центре, где произошло разрушение. Численные значения деформаций на различных участках базы приведены на рис. 3.14, б, из которого видно, что на первых этапах нагружения ( практически до достижения о ь) на большей части имеет место равномерная деформация, которая затем локализуется в зоне образования шейки. Причем деформации в шейке более чем в 7 раз отличаются от их среднего значения ( удлинения), как это видно на рис. 3.15, а, а в связи с этим отличаются и удельные величины механической работы, рассматриваемые для полного объема деформируемого материала V и локального объема Уш в зоне шейки. [31]
Развитие деформаций по длине рабочей базы образца на отдельных этапах его статического растяжения. [32] |
На рис. 13.26, а показаны фотографии контура образца на определенных этапах его статического деформирования, позволяющие проследить процесс локализации деформации в зоне, где произошло разрушение. [33]
Выход из создавшегося положения естественно искать на путях создания компьютеризованной системы диагностики ( КСД) состояния технологических процессов ГКМ, способной максимально автоматизировать процесс локализации неисправностей, выявления причин возникновения и выдачи рекомендаций по их оперативному устранению. [34]
Согласно терминологии, предложенной Рюденбергом [14], процессы релокализации можно классифицировать как внешние и внутренние, имея ввиду способ унитарного преобразования, используемый в процессе локализации. Это определение отличает случаи, когда используются вспомогательные условия локализации, не связанные с электронными переменными. [35]
Для радикалов, описываемых слейтеровским НХФ-детер-минантом, оказывается возможным каждой связи или неподеленной паре электронов сопоставить совокупность двух а - и р-спин-орбиталей, получающихся в процессе локализации; при этом основные коэффициенты соответствующих а - и р-локализо-ванных МО будут почти одинаковыми. Выделенная а-спин-ор-биталь ( для результирующего спина Sz, равного / г) занята неспаренным электроном. Такой подход позволяет сформулировать способ разделения прямых вкладов в постоянную сверхтонкого взаимодействия и непрямых спин-поляризационных добавок в рамках метода НХФ. Первые определяются зарядовым распределением локализованных неспаренных спин-орбиталей, вторые - матрицей спиновой плотности ( ра - рр) Лок, построенной на орбиталях, соответствующих химическим связям и неподеленным парам электронов. [36]
Имея в виду эти соображения и полученные дополнительно экспериментальные данные, автор в начале 1951 года [130] в совместной работе с А. С. Андриановым пришел к выводу о том, что если процессы локализации электронов на F-уровнях сопровождаются излучением, то оно должно наблюдаться в близкой инфракрасной области спектра. [37]
Теорема 3.5 и ее следствия указывают на существенное различие между теми локально компактными пространствами, которые допускают вложение в R в качестве собственных открытых подпространств, и теми, которые допускают вложение в R и качестве собственных замкнутых подпространств. Процесс локализации дает дальнейшее усиление этих результатов. [38]
Когда потоки по дугам, инцидентным обобщенным источнику и стоку локальной сети УМН, не равны пропускной способности этих дуг, локализация отказа на уровне одного управления невозможна. Процесс локализации продолжается на уровне нескольких управлений. Для этого в сети УМН расставляют пометки, указывающие, длиннейшие пути в каждую вершину из вершины, соответствующей управлению с отказом на дуге. УМН, плановые перетоки которых нарушены. Если таких управлений оказывается несколько, то выбирают то, для которого длина пути ( пометка) из аварийного УМН меньше. Это обеспечивает уверенность в том, что Каждое управление будет просмотрено не более одного раза. [39]
Геоматериалы на свободных поверхностях и на поверхностях контакта обладают иными свойствами, чем в своих внутренних точках; в частности, это проявляется в ином коэффициенте трения на поверхностях скольжения, чем в объеме. Процессы локализации показывают, что контакты, стыки и трещины могут математически моделироваться как сигнулярные поверхности разрыва, хотя физически имеют тонкую, но конечную структуру. [40]
Локализация деформации на стыке трех зерен в а-сплаве Ti - 4 2 % At. X300. [41] |
В результате интенсивного скольжения по границам зерен наблюдается смещение зерен, которое проходит в тесной взаимосвязи с деформацией соседних зерен. Процесс локализации деформации при повышении ее степени приводит, как правило, к лавинному скольжению. При растяжении направление лавинного скольжения совпадает с направлением действия максимальных касательных напряжений. Поэтому в общей картине распределения деформаций по микроучасткам с увеличением степени деформации не обязательно получают развитие максимальные пики деформации. [42]
Использован каталог землетрясений Камчатского сейсмоактивного региона за период 1962 - 1996 гг. Как будет показано в гл. Использованный для исследования процессов локализации подкаталог, содержащий землетрясения с К 8 5, насчитывал около 30000 событий с глубинами Н 100 км. [43]
Локализация - это операция по приписыванию экологических воздействий к различным географическим регионам, которые обладают различными характеристиками. Например, в процессе локализации пытаются сравнить выброс 1 кг умеренно токсичного материала в нетронутой экосистеме с воздействием такого же выброса в сильно загрязненной экосистеме. Здесь играют роль два фактора. Первый - взаимодействие выбросов оцениваемого продукта или процесса по отношению ко всем похожим выбросам в регионе. Второй - это степень, в которой регион обладает ассимиляционной способностью по отношению к загрязняющему веществу. Примеры подходов к этому этапу приводятся далее в этой главе. Локализация иногда называлась нормализацией, но слово локализация носит более описательный характер. [44]
В современных вычислительных системах запуск тестов может производиться и автоматически по сигналу ошибки с контрольных схем машины. В менее мощных системах процесс локализации ошибки сопровождается подачей оператору соответствующего сигнала. [45]