Cтраница 4
Пусть, для определенности, имеет место первый случай и поиск максимума продолжается в интервале [ xi, а2 ] длиной LI L. После определения у ( аз) процесс локализации продолжается аналогично пп. [46]
Режим движения, при котором частицы приближаются к равновесному положению, локализуясь в его малой окрестности, может быть использован в ряде технологических операций, например при очистке жидкостей от легких примесей, плотность которых незначительно меньше плотности несущей жидкости. Использование обычного процесса отстаивания в гравитационном поле требует значительного времени, в то время как с помощью вибрационных воздействий процесс локализации частиц из всего объема жидкости в малую область может быть осуществлен значительно быстрее. [47]
Другим интересным вопросом является самый процесс возникновения локального состояния. Рассуждение это, однако, не столь тривиально, как кажется на первый взгляд. Процесс локализации электрона является следствием возникновения в некоторой достаточно узкой области пространства ( по-видимому, не больше 10 - 20 А) стационарно существующей ориентационнои поляризации. Последняя обладает существенной инерционностью и время ее формирования не может быть меньше времени диэлектрической релаксации молекул среды ( т - 10 - п - 10 - 10 сек. В то же время не следует забывать, что и тер-молизованный электрон непрерывно и достаточно быстро перемещается в среде. [48]
Приведенные выше соотношения получены в предположении, что процессы повторной локализации совершенно отсутствуют или ими можно пренебречь. Подобное допущение однако справедливо только для некоторых частных случаев. В общем случае вероятность процессов повторной локализации зависит от относительных концентраций незаполненных акцепторных уровней и ионизованных центров свечения, а также от их относительных эффективных сечений захвата. В определенных условиях вероятность повторной локализации должна быть большой. Подобные условия, очевидно, имеют место при слабом возбуждении и в заключительных стадиях затухания, когда число незаполненных уровней захвата велико по сравнению с числом ионизованных центров свечения. [49]
По поводу перехода к бесконечному X заметим еще, что при рассмотрении конструктивной части в V нужно, на самом деле, исходить из вычислимых элементов в Hom ( W, 3)) - вычислимых гомоморфизмов. Кроме того, нужно предполагать, что с каждым элементом алгебры Уф связывается некоторый его носитель. Это требование относится к процессу локализации. С точностью до этих оговорок можно, например, считать, что алгебра Уф с конечной 3) конструктивна. [50]
Иначе обстоит дело с электронами, попавшими в ловушки. На уровне ловушек они могут оставаться значительный период времени, пока не будут освобождены тепловым или оптическим путем. Очевидно, что именно за счет процессов локализации рекомбинационное свечение затянуто во времени. Необходимо также помнить, что электроны, перешедшие из ловушек в зону проводимости, имеют достаточно большую вероятность повторной ( и большей) локализации. Электрон в ловушке не является неподвижным, он находится в колебательном состоянии, однако амплитуда его такова, что он не может выйти в зону проводимости. [51]