Процесс - накопление - заряд
Cтраница 1
Процесс накопления заряда будет продолжаться до тех пор, пока поперечное электрическое поле не уравновесит магнитную силу; после этого электроны будут двигаться вдоль образца, накопление заряда прекратится и установится стационарное состояние. [1]
 |
Эффект Холла. где Ra - коэффициент пропорциональности ( постоянная Холла, зависящий от физн -. ческой природы полупроводника. (. [2] |
Процесс накопления зарядов разных знаков у противоположных граней полупроводника продолжается до тех пор, пока сила, вызываемая электрическим полем возникших электрических зарядов, не станет равной силе, обусловленной магнитным полем. [3]
Процесс накопления зарядов разных знаков у противоположных граней полупроводника продолжается до тех пор, пока сила, вызываемая электрическим полем возникших электрических зарядов, не станет равной силе, обусловленной магнитным полем. [4]
Этот процесс накопления заряда будет продолжаться до тех пор, пока возникшая таким образом разность потенциалов не создаст поток электронов в обратном направлении, равный первичному, и благодаря этому не установится стационарное состояние. Алгебраическая сумма таких разностей потенциалов в цепи дает одну составляющую термоэлектродвижущей силы. [5]
Значимость процессов накопления зарядов СЭ особенно велика, если электризующимися материалами являются легковоспламеняющиеся диэлектрики. Диэлектрики обладают повышенной склонностью к накоплению зарядов СЭ, а разряды СЭ в легковоспламеняющихся средах могут становиться причиной взрывов и пожаров. [6]
В процессе накопления заряда происходит утечка его на стенки резервуара. Сила тока утечки определяется абсолютной величиной заряда и электропроводностью нефтепродукта. [7]
Только этот процесс накопления заряда и увеличения напряженности поля по длине образца носит сравнительно умеренный характер. В области анода ( х1) напряженность очень быстро спадает до нуля. Границе, разделяющей два названных режима работы ( рис. 4.4 6, в), соответствует равенство времени движения и формирования домена td-ta или / л А яр. [8]
На рис. 15.40 и г показан процесс накопления зарядов интеграторами. [9]
Переполнение потенциальной ямы при сильных засветках ограничивает процесс накопления заряда. Часть заряда выплескивается и накапливается в потенциальных ямах соседних МДП-ячеек. Введением вдоль направления переноса стоков ( узкие области с противоположным по отношению к подложке типом проводимости) избыточные неосновные носители выводятся из матрицы. [10]
 |
Диаграммы импульсов, поясняющие работу диодного ключа. [11] |
На отрезке времени Q - t1 происходит процесс накопления заряда неосновных носителей Q6 в базе диода, при этом уменьшается сопротивление диода и напряжение ыд. [12]
Процесс интегрирования с помощью интегрирующего усилителя представляет собой по существу процесс накопления заряда конденсатора С. Блок интегрирования может находиться в одном из следующих четырех состояний: 1) исходное состояние; 2) задание начальных условий; 3) решение ( интегрирование); 4) фиксация результата. [13]
Отметим также, что если длительность отрицательной полуволны входного сигнала была мала и процесс накопления заряда в базе не успел завершиться, то время рассасывания будет меньше рассчитанного. [14]
 |
Схема питания блока памяти. [15] |
Страницы: 1 2 3