Процесс - накопление - заряд
Cтраница 2
Таким образом, работа оперативной памяти, выполненной на потенциалоскопе, характеризуется в основном процессами накопления зарядов на диэлектрике мишени. [16]
При работе в диапазоне повышенных частот необходимо учитывать инерционность диода, в основе которой лежит процесс накопления заряда в области базы и эмиттера вблизи р - - перехода. Инерционность диода, а также наличие емкости Сд приводят к тому, что на очень высоких частотах амплитуды прямого и обратного токов рабочих сигналов становятся соизмеримыми и диод теряет свойство односторонней проводимости. [17]
 |
Световая характеристика трубки. [18] |
Если на мозаику одновременно с изображением попадает рассеянный свет ( Ео), то от него потенциал всех точек мозаики равномерно повышается и в этих условиях процесс накопления заряда происходит менее эффективно из-за увеличенного числа возвращающихся из объемного заряда электронов, нейтрализующих накопленный заряд. Последнее влечет за собой уменьшение контрастности изображения на экране приемной трубки. [19]
При этом потенциал точки в снижается до 0, а потенциал точки б уменьшается в Ci / ( Ci 2) Раз относительно изменения & U &, к-рое каждый элемент мишени приобрел в процессе накопления зарядов. Са, между обеими сторонами мишени возникает разность потенциалов. В связи с этим необходимо, чтобы материал мишени имел заданную проводимость, чтобы за время длительности одного телевизионного кадра емкость С2 могла разрядиться за счет утечек через пленку. [20]
В последние годы были разработаны несколько физико-математических моделей зарядовой деградации МДП-структур в условиях туннельной инжекции. Эти модели описывают процессы накопления заряда в диэлектрике на основе механизмов захвата носителей, учитывающих новые данные о распределении электронов по энергии в диэлектрических пленках в сильных электрических полях, и позволяют проводить сравнение зарядовой стабильности МДП-структур с различной толщиной двуокиси кремния ( в том числе и многослойных), учитывать влияние изменений характеристик центров захвата, локальных электрических полей. Применение таких моделей позволяет оптимизировать параметры МДП-систем применительно к конкретным структурам МДП-ИС и БИС в рамках действующих типовых технологических процессов, а также совершенствовать технологии получения диэлектрических слоев с целью повышения устойчивости схем к токополевым, электронным и ионизационным воздействиям. [21]
Величины tlt t2 и tnp, как было показано выше, связаны с временем жизни дырок тр. Чтобы уменьшить инерционность процессов накопления заряда, обычно базу легируют примесями, уменьшающими время жизни дырок, например золотом. Диоды, изготовленные таким образом, имеют времена восстановления порядка нескольких наносекунд. Кроме того, для уменьшения времени установления необходимо базу диода делать возможно тоньше. [22]
Время рассасывания уменьшается с ростом ( по абсолютному значению) тока / п, а также при уменьшении времени жизни. При / п0 формула для Qn ( t) описывает процесс накопления зарядов. Если при / 0 Qn ( 0) 0, то время накопления Л, определяемое из условия Qn ( / H) 0 9X ХС. [23]
В этом уравнении не учитываются участии кадровых интервалов, отведенные для обратного хода луча, в связи с чем величина i получается несколько завышенной. В действительности теоретическая эффективность, определяемая этим уравнением, полностью не достигается из-за явлений перераспределения вторичных электронов и частичного разряда элементов трубки в процессе накопления заряда. [24]
Здесь переменные щ обозначают сигналы на входах схемы, переменные Z - сигналы на выходах элементов схемы. Некоторые из переменных z % являются одновременно выходами всей схемы. Вспомогательные ( внутренние) переменные Xi ( t) моделируют инерционный процесс накопления зарядов в переключательных элементах. [25]
Здесь переменные щ обозначают сигналы на входах схемы, переменные z - сигналы на выходах элементов схемы. Некоторые из переменных zi являются одновременно выходами всей схемы. Вспомогательные ( вну тренние) переменные Xi ( t) моделируют инерционный процесс накопления зарядов в переключательных элементах. [26]
Другим видом внутренней помехи, также связанной с наличием высокого напряжения внутри телевизора, является натекание. Эта помеха возникает из-за медленного натекания заряда на металлические предметы внутри футляра телевизора, хорошо изолированные от шасси. По мере накопления заряд растет и, наконец, проскакивает искра на ближайшую точку, соединенную с шасси, после чего вновь начинается процесс накопления заряда. Такой процесс протекает периодически через примерно равные интервалы времени от одной до нескольких секунд. Искра сопровождается обычно тихим щелчком в громкоговорителе и искоркой на экране телевизора. [27]
Магнитное поле, воздействуя на движущиеся со средней скоростью v электроны, отклоняет их в поперечном направлении оси у. В результате этого на одной из поперечных граней будут накапливаться электроны, а на противоположной - нескомпенсированный положительный заряд. Накопление зарядов на противоположных гранях пластинки приводит к появлению поперечного электрического поля с напряженностью Е2, которое получило название поля Холла. Процесс накопления зарядов на противоположных гранях пластины будет происходить до тех пор, пока сила Лоренца F, действующая на электроны за счет магнитного поля В, не уравновесит силу F2, действующую на электроны за счет электрического поля EZ. После этого установится стационарный процесс, при котором электроны движутся параллельно граням пластины, как и при отсутствии магнитного поля. Заметим, что сказанное справедливо для электронов, обладающих средней скоростью движения. [28]
Когда на мишень проецируется оптическое изображение, указанное выше распределение потенциалов изменяется за счет фотоэмиссии электронов с мозаики. Более яркие детали изображения вызовут большую эмиссию, а следовательно, и большее повышение потенциала соответствующих элементов мозаики, а менее яркие - меньшее повышение. В этом состоит процесс накопления зарядов. В результате такого распределения потенциалов оптическое изображение как бы образует на мишени соответствующий потенциальный рельеф. Во избежание повторения процессы, происходящие на мишени трубки во время ее обегания электронным лучом, будут рассмотрены при описании другой передающей трубки - супериконоскопа, в которой мишень работает в аналогичном режиме. [29]
Конденсатор производит интегрирование светового потока за время t; в этом отношении действие его аналогично действию фотопластинки. Метод накопления наиболее полно отвечает и другим требованиям спектрального анализа. Требования одновременной регистрации линий всех рпре-деляемых элементов легко выполнить, если за каждой из аналитических линий поставить свой фотоэлектрический приемник и конденсатор. В этом методе процесс накопления заряда и процесс его измерения разделены во времени. Это устраняет помехи от источника возбуждения спектра, шумы регистрирующей установки, и тем самым повышает точность измерения. [30]
Страницы: 1 2 3