Процесс - накопление - неосновной носитель
Cтраница 1
 |
Структура п - /. - я-траизистора с диодом Шоттки ( з к его эквивалентная схема ( б. [1] |
Процессы накопления неосновных носителей и их последующего рассасывания при переводе транзистора в режим отсечки или в выключенное состояние связаны с относительно медленным процессом диффузии неосновных носителей заряда. [2]
В процессе накопления неосновных носителей в базе транзистора происходит увеличение тока коллектора. [3]
В процессе накопления неосновных носителей заряда увеличивается градиент их концентрации около коллекторного перехода, что соответствует увеличению тока коллектора. При больших значениях тока эмиттера / ai ток коллектора ограничен не током эмиттера, а параметрами выходной коллекторной цепи. [5]
В процессе накопления неосновных носителей заряда увеличивается градиент их концентрации около коллекторного перехода, что соответствует увеличению тока коллектора. При больших значениях тока эмиттера / si ток коллектора ограничен не током эмиттера, а параметрами выходной коллекторной цепи. [7]
После окончания процесса накопления неосновных носителей в базе величины напряжений на дксде, на базе диода и на / л-переходе достигают установившихся значений. [9]
После окончания процесса накопления неосновных носителей в базе напряжения на диоде, на базе диода и на р-п-переходе достигают установившихся значений. [11]
После окончания процесса накопления неосновных носителей в базе величины напряжений на диоде, на базе диода и на р-я-пе-реходе достигают установившихся значений. [12]
После входа транзистора в режим насыщения процесс накопления неосновных носителей в базе и коллекторе транзистора еще некоторое время продолжается. [13]
 |
Нелинейные модели. [14] |
При построении универсальных нелинейных моделей полупроводниковых приборов необходимо учесть процессы накопления неосновных носителей и изменения общего их заряда в области р - n - переходов. [15]
Страницы: 1 2