Процесс - накопление - неосновной носитель
Cтраница 2
В связи с увеличением инжекционной составляющей тока эмиттера происходит процесс накопления неосновных носителей заряда в базе транзистора. Этот процесс также происходит не мгновенно, так как скорость движения неосновных носителей заряда в базе конечна. [16]
 |
Зависимость относительного значения выпрямленного тока от частоты переменного напряжения. [17] |
При рассмотрении переходных процессов в р-п переходе было показано, что процессы накопления неосновных носителей заряда - дырок в n - базе р - п перехода - носят емкостный характер. [18]
Быстродействие всех рассмотренных ранее логических элементов ограничено временными задержками, которые вызваны процессами накопления неосновных носителей в базах транзисторов, работающих в режиме насыщения. Существенно большее быстродействие имеют цифровые схемы транзисторной логики с эмиттерными связями ( ТЛЭС), в которых транзисторы при работе не входя. Элементы ТЛЭС работают по прин-пипу переключения токов при малых изменениях входных напряжений. Вследствие этого элементы ТЛЭС часто носят название логических схем с переключателями тока. [19]
Быстродействие всех рассмотренных ранее логических элементов ограничено временными задержками, которые вызваны процессами накопления неосновных носителей в базах транзисторов, работающих в режиме насыщения. Существенно большее быстродействие имеют цифровые схемы транзисторной логики с эмиттерными связями ( ТЛЭС), в которых транзисторы при работе не входя. Элементы ТЛЭС работают по принципу переключения токов при малых изменениях входных напряжений. Вследствие этого элементы ТЛЭС часто носят название логических схем с переключателями тока. [20]
Быстродействие всех рассмотренных ранее логических элементов ограничено временными задержками, которые вызваны процессами накопления неосновных носителей в базах транзисторов, работающих в режиме насыщения. Существенно большее быстродействие имеют цифровые схемы транзисторной логики с эмиттерными связями ( ТЛЭС), в которых транзисторы при работе не входят в насыщение. Элементы ТЛЭС работают по принципу переключения токов при малых изменениях входных напряжений. Вследствие этого элементы ТЛЭС часто носят название логических схем с переключателями тока. [21]
В транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером, при работе на импульсах с большой амплитудой происходят те же процессы накопления неосновных носителей в базе и их рассасывания. [23]
В транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером, при работе на импульсах с большой амплитудой происходят те же процессы накопления неосновных носителей заряда в базе и их рассасывания. На рис. 4.45 показаны временные зависимости тока базы и тока коллектора при включении транзистора по схеме с общим эмиттером. [24]
Биполярный транзистор в цифровых интегральнных микросхемах обычно выполняет функцию ключа и все время работает либо в режиме насыщения, либо в режиме отсечки. Процессы накопления неосновных носителей и их последующего рассасывания при переводе транзистора в режим отсечки или в выключенное состояние связаны с относительно медленным процессом диффузии неосновных носителей заряда. [25]
Его значение определяется параметрами генератора тока во входной цепи транзистора. В связи с увеличением инжекционной составляющей тока эмиттера происходит процесс накопления неосновных носителей заряда в базе транзистора. Этот процесс также происходит не мгновенно, так как скорость движения неосновных носителей заряда в базе конечна. [26]
Из сравнения результатов, полученных для двух типов диодов из GaAs диффузионных и диодов с барьером Шоттки, можно видеть следующее. Значения т и в режиме без детектирования накачки, и в режиме с детектированием накачки для обоих типов приблизительно одинаковы, а динамическая добротность в обоих режимах для диффузионных диодов несколько больше. Из полученных результатов видно, что в диффузионных арсенидогаллиевых диодах в рассматриваемом диапазоне волн и токов процессы накопления неосновных носителей не вносят никакого вклада в величины динамических параметров. [27]
Страницы: 1 2