Процесс - наращивание
Cтраница 1
Процесс наращивания может происходить и без участия основного тела, когда он начинается с зарождения бесконечно малого материального элемента тела. [1]
Процесс наращивания и оконцевания проводов может быть произведен тремя способами: пайкой, сваркой и опрессованием. [2]
Процесс наращивания в установке УНЭС-2П-В основан на реакциях восстановления. [3]
Процесс наращивания заключается в том, что через реактор пропускают поток водорода с примесью кремнийсодержащего вещества, которое восстанавливается на поверхности монокристалла при высокой температуре. Образующийся кремний осаждается на подложке в виде монокристальной пленки, а другие продукты реакции уносятся потоком. [4]
Процесс наращивания частиц должен протекать в несколько стадий. Если на первой стадии создать в произвольном объеме раствора Vx пересыщение АС, то в процессе осаждения в этом объеме образуется Л зародышей. [5]
 |
Схема наращивания бурильного инструмента. [6] |
Процесс наращивания бурильного инструмента повторяется до тех пор, пока не износится долото или не будет достигнута проектная глубина скважины. После этого всю бурильную колонну извлекают из скважины. [7]
Процессы наращивания производительности компьютерных систем и развития программного обеспечения зачастую управляются в рамках некой программы, именуемой проектом. Это умное название предполагает высокий уровень пофазного контроля. Однако в этих проектах редко осуществляется эффективный ПФК. [8]
Весь процесс наращивания занимает 72 часа непрерывного осаждения меди, в результате которого достигается толщина ДОЭ до 3 4 мм. [9]
Этот процесс наращивания таблицы можно продолжать как угодно далеко, так как значения температуры в узлах прямых х0 и х Ь будут известны из граничных условий. [10]
Сходство процесса наращивания слоев кремния с эмбриональным развитием зародыша указывает на то, что на форму изображения должна влиять, по существу, не температура, а количество кремния, фактически находящееся на поверхности в данный момент. Температура определяет только равновесную концентрацию. На основании результатов этих исследований был предложен следующий простой способ определения энергии активации объемной диффузии кремния в никеле. Острие нагревают сначала при высокой температуре, а затем - при более низкой температуре Т в течение небольшого промежутка времени t, при котором равновесие не достигается. На основании полученных значений температур и времени было найдено, что энергия активации равна 48 б ккал. Эта величина, очевидно, соответствует объемной диффузии, которая, по-видимому, определяет скорость процесса. [11]
В процессе наращивания непрерывной нитки трубопровода технологический цикл сборки стыков повторяется. [12]
Эпитаксией называется процесс наращивания монокристаллических слоев на подложку, используемую как несущая конструкция структуры. В наращиваемом слое сохраняется кристаллическая ориентация подложки. Эпитаксия позволяет выращивать слои любого типа проводимости и удельного сопротивления толщиной в несколько микрометров. Омические контакты с р - и я - областями кристалла создаются операциями металлизации. В кремниевых диодах для создания омических контактов широко используется алюминий. [13]
 |
Схема послойного наращивания изделия по LOM-технологии. [14] |
Установка начинает процесс наращивания изделия, подавая слой бумаги и скрепляя его с предыдущим слоем. Затем лазер вырезает контур этого слоя и размечает излишки материала. Этот процесс продолжается до тех пор, пока не будут построены и скреплены все слои. [15]
Страницы: 1 2 3 4