Процесс - наращивание
Cтраница 2
Свинцевание ( процесс наращивания чистого свинца преимущественно на сталь) малоэффективно в связи с тем, что свинец и железо не образуют растворов ни в твердом, ни в жидком состоянии. Для образования сцепления между железом и свинцом в последний вводят олово, сурьму, способные образовывать химические соединения с железом. Сцепление слоя свинца с железными изделиями облегчается предварительным лужением последних перед наращиванием жидким свинцом с помощью газовой горелки. Освинцевание наружных и внутренних поверхностей труб проводят способом последовательной кристаллизации, разработанным В. В. Андреевым; этот способ заключается в протаскивании ванны с расплавленным свинцом по напаиваемой поверхности с последующим принудительным охлаждением нанесенного слоя. [16]
Важной характеристикой процесса наращивания является момент присоединения новых элементов к основному телу. Множество всех моментов присоединения полностью определяет конфигурацию растущего тела. [17]
По окончании процесса наращивания перед отделением металлической копии форму тщательно промывают, чтобы электролит не затек в пространство между поверхностью формы и наращенным металлом. Этот процесс производят по возможности быстро, так как электролит, проникая в капиллярные неплотности, может растравить внутреннюю поверхность наращенного изделия. [18]
По окончании процесса наращивания, до отделения металлической копии, форму необходимо тщательно промыть во избежание затека электролита в пространство между поверхностью формы и наращенным металлом. [19]
Конкретные условия процессов наращивания и отжига определяются в зависимости от заданных свойств получаемого слоя поликристаллического кремния. [20]
Для ускорения процесса наращивания труб при прямой промывке применяют специальную промывочную головку и устьевую обвязку. [21]
 |
Схематический Т - N разрез диаграммы пересыщения углерода.| Графики зависимости линейной скорости роста ( vf затравочных кристаллов в камере с прямым ( 1 и обратным ( 2 перепадами. [22] |
Экспериментальное изучение процесса наращивания алмаза на затравку методом температурного перепада проводилось в камерах высокого давления прямого и косвенного нагрева с вертикально и горизонтально расположенным реакционным объемом ( см. гл. [23]
Для ускорения процесса наращивания труб при прямой промывке применяют специальную сальниковую головку и манифольдную обвязку. [24]
Предполагается, что процесс наращивания достаточно медленный. Это позволяет пренебречь силами инерции. [25]
Эпитаксия представляет собой процесс наращивания из газовой фазы тонкого полупроводникового слоя толщиной 10 - 15 мкм на полупроводниковую подложку с любым типом электропроводности. При этом кристаллическая решетка выращенного слоя является точным продолжением кристаллической решетки подложки. Эпитаксиальный слой и подложка разделены р - / г-переходом, который обычно используют в качестве изоляции. [26]
Эпитаксия - это процесс ориентированного наращивания монокристаллических слоев на пластину. При эпитаксии кристаллографическая ориентация наращиваемого слоя повторяет кристаллографическую ориентацию подложки. [27]
 |
Конфигурация резисторов в гибридной микросхеме. [28] |
Эпитаксия представляет собой процесс наращивания кристалла полупроводника с контролируемой электрической проводимостью. Ее осуществляют при температуре до 1250 С в потоке смеси газов. [29]
Наплавка представляет собой процесс наращивания поверхности детали слоем металла для увеличения толщины или создания специальных свойств этого слоя, отличающихся от свойств основного металла. [30]
Страницы: 1 2 3 4