Процесс - облучение
Cтраница 1
 |
Схема питания имплан-тера ДИАНа. [1] |
Процесс облучения производится при давлении в рабочей камере не ниже 0 - тор. Ионный источник имеет трехэлектродную конструкцию. Схема питания ионного источника представлена на рис. 8.3. Основными частями источника являются катод, анод и поджигающий электрод. При подаче импульсного напряжения с трансформатора ТрЗ между катодом / и поджигающим электродом 2 по поверхности керамики 5 возникает поджигающий дуговой разряд. Затем вследствие поступления напряжения с трансформатора Тр2 между катодом 1 и анодом 3 из поджигающего разряда инициируется импульсный дуговой разряд, который поддерживается в течение всего времени действия напряжения. [2]
Процесс облучения производится при давлении в рабочей камере не ниже К) 4 тор. Ионный источник имеет трехэлектродную конструкцию. Схема питания ионного источника представлена на рис. 8.3. Основными частями источника являются катод, анод и поджигающий электрод. При подаче импульсного напряжения с трансформатора ТрЗ между катодом / и поджигающим электродом 2 по поверхности керамики 5 возникает поджигающий дуговой разряд. Затем вследствие поступления напряжения с трансформатора Тр2 между катодом / и анодом 3 из поджигающего разряда инициируется импульсный дуговой разряд, который поддерживается в течение всего времени действия напряжения. [3]
Процесс облучения характеризуют произведением, полученным от умножения плотности потока на скорость и время облучения. [4]
Процесс облучения объектов, а также положение облучателя контролируются промышленной телевизионной установкой ПТУ-4. Для предохранения оптической системы от прямого действия у-изл Учения передающая камера этой установки размещена в лабиринте. В связи с этим в горячей камере и лабиринте была смонтирована система зеркал из полированной нержавеющей стали. [5]
Процесс облучения индивидуума хронической дозой мощностью Q ( t) будем рассматривать в виде воздействия мгновенной дозы D ( t) t через равные очень малые промежутки времени А / и разобьем временной интервал ( О, /) на N частей. [6]
 |
Дозное поле установки УК-70000. [7] |
Поэтому процесс облучения на установке УК-70000 постоянно контролируется обслуживающим персоналом. Как показали измерения, тепловое равновесие наступает примерно через 3 ч, после чего температура внутренней стенки охранного сосуда достигает 85, а наружной - 65 С. Орошение непосредственно самого облучателя проточной водой при расходе 2 - 2 5 л / мин обеспечивает практически мгновенное снижение температуры обеих стенок охранного сосуда до температуры охлаждающей воды. [8]
Условия процесса облучения могут быть подобраны таким образом, что значительное повышение адгезии в результате образования в поверхностном слое полярных кислородсодержащих групп достигается практически при сохранении остальных свойств полимера, в том числе и такой чувствительной к полярности характеристики, как тангенс угла диэлектрических потерь. Достижению этой цели способствует применение возможно малых доз излучения ( до 1 - 5 Мрад) и высоких мощностей дозы. В этих условиях окисление ограничено лишь тонким поверхностным слоем, поскольку диффузия заметных количеств кислорода в глубь образца за короткое время облучения исключена. [9]
 |
Условные схемы лазерной обработки ( а и газолазерной резки ( б. 1 - оптический квантовый генератор. 2 - зеркало. 3 - затвор. 4 - линза. 5 - окно. б - обрабатываемое изделие. 7 - лунка ( кратер. [10] |
В процессе облучения часть падающего светового луча отражается от обрабатываемой поверхности. Для снижения отражения при СЛО используется чернение обрабатываемой поверхности. [11]
В процессе облучения полиэтилен окисляется. Это является одной из причин того, что свойства тонких пленок ухудшаются при меньших дозах, чем свойства более толстых пленок. Образцы, облученные Со60 до доз 6 2 - 108 эрг / г, после облучения совсем не окислялись. [12]
 |
Изотермический отжиг ослученного алмаза ( дК / К 3 25 %. [13] |
В процессе облучения в кристаллических материалах накапливаются дефекты. При нагревании облученного вещества происходит уменьшение концентрации дефектов. Чем выше температура и продолжительнее время выдержки, тем большее количество дефектов отжигается. При этом свойства вещества частично или полностью восстанавливаются. [14]
 |
Свойства слабоосновных анионитов после облучения ( на воздухе. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5