Процесс - облучение
Cтраница 4
В процессе облучения большинства высокополимерных диэлектриков объемное сопротивление сначала уменьшается довольно быстро и значительно, достигает некоторого минимального значения и затем медленно возрастает. [46]
В процессе облучения изучаемых растворов положения полос поглощения и перегибов даже при непрерывном 12-часовом облучении не меняются. [47]
Для характеристики процесса облучения используют произведение трех величин: плотность потока скорость время. Поглощенную дозу измеряют в радах. Один рад равен 0 01 джоуля на килограмм облучен-н Ого вещества или 105 эрг / кг. [48]
Во время процесса облучения эпоксидных компаундов происходит одновременно и поперечное сшивание и разрушение связей длинных молекул. Степень повреждения определяется величиной поглощения энергии и будет зависеть от типа компаунда, вида и интенсивности излучения. [49]
 |
ИК-спектры 0 01 М раствора н-гексилмеркаптана в четыреххлористом углероде.| Зависимость оптической плотности. [50] |
Образующиеся в процессе облучения тиильные радикалы, а также радикалы радиализованного растворителя обеспечивают и в данном случае протекание цепных реакций. [51]
 |
Уменьшение длины образца стекла Корнинг-7070 при облучении. [52] |
Окрашенное в процессе облучения стекло отбеливалось почти до исходного состояния при облучении светом ртутной лампы. После этого образцы были облучены повторно дозой 1010 эрг / г. При этом было установлено, что оптическая плотность стекла после второго облучения была выше, чем после первого. Эти результаты согласуются с тем, что оптическая плотность увеличивается экспоненциально с увеличением дозы облучения вплоть до 5 - Ю7 эрг / г, а после этого изменяется линейно. [53]
Поглощаемая в процессе облучения мономерными кристаллами энергия может оказать существенное влияние не только на акты зарождения цепей, но и на условия их роста. Как указывалось выше, энергия возбуждения обычно локализуется на примесях либо на дефектах, где инициируется рост цепей. Например, дефект аналогичный дефекту Шотке, характеризующийся наличием вакансии или микрополости в решетке мономера, непосредственно у активного центра, может возникнуть в результате уменьшения линейного размера полимерной цепи по сравнению с мономерной заготовкой, из которой она образовалась. [54]
Если в процессе облучения происходит деструкция, доза облучения в точке гелеобразования увеличивается, а рассчитанное значение G ( X) становится слишком низким. Для полиэтилена величину ошибки, связанную с неучетом деструкции, можно приблизительно оценить с помощью уравнений Чарлзби и Пиннера31 при псевдостатистическом распределении по молекулярным весам. При этом предполагается, что уравнение ( 95) применимо в диапазоне изменения доз облучения, достаточно широком для оценки отношения G ( S) / 2G ( X) при бесконечно большой дозе облучения. [55]
Поскольку в процессе облучения температура продуктов повышается лишь незначительно, такой метод можно считать холодным процессом. При использовании его внешний вид, вкус, запах и цвет продуктов изменяются минимально, и потребителю трудно или даже невозможно отличить консервированный облучением продукт от свежеприготовленного. [56]
Если в процессе облучения происходит деструкция, доза облучения в точке гелеобразования увеличивается, а рассчитанное значение G ( X) становится слишком низким. Для полиэтилена величину ошибки, связанную с неучетом деструкции, можно приблизительно оценить с помощью уравнений Чарлзби и Пиннера 31 при псевдостатистическом распределении по молекулярным весам. При этом предполагается, что уравнение ( 95) применимо в диапазоне изменения доз облучения, достаточно широком для оценки отношения G ( S) / 2G ( X) при бесконечно большой дозе облучения. [57]
Уже в процессе облучения происходит кристаллизация образующегося бис ( т) - бутадиен) карбоиилжелеза, который оседает на внешней стенке вследствие градиента температур. Таким образом внутренняя стенка охлаждающей рубашки остается прозрачной. [58]
Полученный в процессе облучения ИК-спектр обнаруживает только три полосы. С помощью расчетов и путем сравнения с ИК-спектрами циклических гомологичных соединений можно показать, чт о циклобута-диен действительно является промежуточным. [59]
При больших дозах процесс облучения заканчивается иногда разрушением материала. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5