Процесс - образование - заряд
Cтраница 1
Процесс образования зарядов в пламени водорода определяет эффективность детектора, от которой зависит абсолютная чувствительность детектора и характер его чувствительности к различным веществам. [1]
Физической величиной, характеризующей процесс образования заряда на минералах при контактной электризации, является работа выхода электрона, которую необходимо затратить на преодоление сил, удерживающих электрон в решетке при выходе его из минерала. Количественных данных о значениях работы выхода электрона для минералов пока практически нет в связи с трудностью их экспериментального определения и теоретического расчета. [2]
При анализе флюктуации тока в режиме тока насыщения мы рассматривали лишь процессы образования зарядов, считая сбор зарядов полным и практически мгновенным. В режиме тока проводимости необходимо учитывать, что часть зарядов рекомбинирует в объеме камеры детектора. Доля собираемых зарядов, строго говоря, случайная величина. Поэтому при детектировании в режиме тока проводимости требуется учитывать флюктуации доли собираемых зарядов. [3]
Система заряженных тел является носителем определенного запаса энергии. Эта энергия сообщается системе внешними источниками в процессе образования зарядов и может быть вновь воз-вращеш. [4]
Система заряженных тел является носителем определенного запаса энергии. Эта энергия сообщается системе внешними источниками в процессе образования зарядов и может быть вновь возвращена источникам или преобразована в другие виды энергии при уменьшении зарядов. [5]
 |
Расположение электродов в трубке с накоплением зарядов на диэлектрической мишени. [6] |
Очевидно, что при создании потенциального рельефа за счет вторичной эмиссии или электронно-возбужденной проводимости поверхность диэлектрика ( диэлектрическая мишень) или мозаики должна подвергаться электронной бомбардировке, обычно создаваемой развертываемым по этой поверхности электронным лучом. При образовании потенциального рельефа в результате фотоэмиссии или фотопроводимости на фоточувствительную поверхность проектируется световое изображение. Процесс образования заряда продолжается в течение времени воздействия на данный элемент электронного луча или светового потока. Образование потенциального рельефа, соответствующего поступившей информации, называется записью. [7]
Повышенная концентрация дефектов в переходном слое обусловлена различием в строении и в физических свойствах полупроводника и диэлектрика. Как видно из рис. 6.13, соприкосновение двух веществ приводит к возникновению дефектов в виде оборванных и напряженных валентных связей в переходном слое. При воздействии радиации на структуру диэлектрик-полупроводник в ней наблюдается увеличение плотности поверхностных состояний и заряда в объеме диэлектрика. Процесс образования заряда в объеме диэлектрика определяется поглощенной до-зой ионизирующего излучения, значением и полярностью приложенного напряжения, концентрацией ловушек. [9]
Вследствие этого граница отрицательных зарядов переносится за время dt на расстояние dh - vdt. На такое же расстояние смещается и верхняя граница, где образуется такой же слой с положительными зарядами. Между этими слоями, как между обкладками плоского конденсатора, образуется электрическое поле. Оказывается, что при таком предположении замедление процесса образования заряда происходит по экспоненциальному закону. Но предположение о влиянии электрических сил на скорость падения гидрометеоров ( капель, градин) не соответствует действительности, так как при напряженностях поля, которые, как показали непосредственные измерения, наблюдаются в грозовых облаках, изменение скорости падения крупных частиц незначительно. [10]
Трение и соударения зерен материала в кипящем слое сопровождаются их электризацией. Наэлектризованные зерна обладают иногда существенными зарядами и способны создавать значительные электрические поля. Возникновение в слое местных электрических полей приводит к тому, что отдельные зерна при их движении и соударениях в поле ( явление электростатической индукции) приобретают ( или увеличивают уже имеющиеся) электрические заряды. Непосредственные измерения показывают, что скорость образования и накопления зарядов при. При малых скоростях газа средний установившийся потенциал VCp в кипящем слое растет почти прямо пропорционально скорости газа, что объясняется усилением трения между зернами. Для большинства материалов максимум VCp достигается уже при небольших скоростях газа. Дальнейшее увеличение скорости газа сопровождается постепенным понижением потенциала, что можно объяснить ослаблением трения вследствие разобщения зерен газовыми прослойками. Помимо скорости газа, на процесс образования зарядов существенно влияют свойства зерен и их размеры, габариты и материал аппарата и характер поверхности его стенок, а также влажность и температура газа. [11]
Первый участок соответствует процессу релаксации зарядов, находящихся в топливе. Причем при прокачке через датчик незаряженного топлива ( кривая I), появился небольшой участок релаксации, что объясняется незначительной зарядкой топлива при протекании в заправочном шланге. При протекании через датчик заряженного топлива процесс релаксации значительно возрастает за счет увеличения зарядов в топливе. На этом участке ток утечки датчика нелинейно зависит от скорости прокачки. Количество релаксированных зарядов зависит от времени нахождения топлива в датчике, которое в сбою очередь определяется скоростью прокачки и размерами датчика. При увеличении скорости течения уменьшается время нахождения топлива в датчике, иv следовательно, ток датчика. Кроме этого, в конце участка начинается процесс генерации датчиком зарядов, и. Насыщение кривых соответствует моменту, при котором ско - рость релаксации и скорость генерации зарядов уравшваются. Дальнейшее увеличение скорости приводит к преобладанию процесса генерации, ток утечки падает и при равенстве величин релаксирующего и генерирующего в датчике зарядов он становится равным нулю. Затем знак тока утечки датчика изменяется, что объясняется значительным преобладанием процесса образования зарядов в датчике над их утечкой. [12]
Страницы: 1