Процесс - образование - дефект
Cтраница 1
Процессы образования дефектов описываются известными термодинамическими соотношениями. [1]
Процесс образования дефектов кристаллической решетки, конечно, эндотермический, но, как и всякое разупорядочение, сопровождается возрастанием энтропии. Поэтому в согласии с AG АЯ - Г AS при любой температуре, отличной от абсолютного нуля, в реальном кристалле должны существовать дефектные позиции или вакансии. [2]
Процесс образования дефектов кристаллической решетки, конечно, эндотермический, но, как и всякое разупорядочение, сопровождается возрастанием энтропии. Поэтому в согласии с ДО Л - TAS при любок температуре, отличной от абсолютного нуля, в реальном кристалла должны существовать дефектные позиции или вакансии. [3]
Рассмотрены процессы образования дефектов в кристаллическом кремнии. Дан анализ микроструктуры дефектов, приведены сведения об энергетическом спектре локальных электронных состояний, связанных с различными типами дефектов в объеме и на поверхности кристаллов кремния. Рассказано о процессах миграции дефектов, их взаимодействиях друг с другом я с примесями. [4]
Рассмотрим в рамках аналогичной модели процесс образования дефектов по Шоттки. [5]
Чтобы найти действительные термодинамические характеристики процесса образования Np дефектов, мы должны учесть еще, каким числом способов данный процесс может быть реализован. [6]
Но для кристалла, в котором идет процесс образования дефектов, эта разность не равна нулю, что очень важно, так как по величине этой разности можно вычислить термодинамические характеристики процессов дефектообразования. [7]
 |
Зависимость & W f ( lgy на первом ( J и втором ( 2 этапе электрического старения рутиловой керамики, а также при ее химическом восстановлении ( 3. [8] |
Однако было бы преждевременно считать, что процессы образования донорных дефектов при электрическом старении и при химическом восстановлении рутила имеют одинаковую природу. [9]
Второе направление: на основе представлений о физической сущности процесса образования дефектов составляются уравнения, описывающие процесс. Используя экспериментально определенные характеристики материала, рассчитывают параметры оптимального режима. [10]
А - предэкспоненциальный множитель; Е - энергия активации процесса образования дефектов; k - константа Больцмана; Т - абсолютная температура. [11]
Во многих книгах, посвященных дефектам, говорится, что процесс образования дефектов в кристалле проходит самопроизвольно. Нами же получены положительные значения AG, говорящие о невозможности самопроизвольного образования дефектов. [12]
В настоящее время одним из наиболее серьезных препятствий к проведению термодинамического анализа процесса образования дефектов в кристаллофосфорах является неполнота сведений об их свойствах, в частности отсутствие данных о положении энергетических уровней ряда дефектов. В таких случаях полезными оказываются методы приближенной оценки неизвестных величин. [13]
Под действием тепловых флуктуации в реальных кристаллах при каждой данной температуре идет не только процесс образования дефектов, но одновременно за счет движения вакансий и дислоцированных в междоузлиях частиц процесс их исчезновения или залечивания. Однако кристалл может содержать и избыточное ( неравновесное) число точечных дефектов. [14]
 |
Схематическое изображение дефектов по Френкелю ( а и по Шоттки ( б ( в - идеальная решетка. [15] |
Страницы: 1 2