Процесс - опрокидывание
Cтраница 1
 |
Схемы запуска триггеров. [1] |
Процесс опрокидывания получается лавинообразным и заканчивается, когда / 72 запрется и наступит второе устойчивое состояние схемы. [2]
 |
Характеристика релаксационной схемы с двумя устойчивыми состояниями. [3] |
Процесс опрокидывания может быть вызван подачей импульса положительной полярности на сетку закрытой лампы. Однако более эффективной является подача отрицательного импульса на сетку открытой лампы, так как в этом случае импульс после усиления и изменения полярности окажется приложенным к сетке закрытой лампы и приведет к опрокидыванию схемы. В тех случаях, когда сопротивления делителя - R, R2 велики, становится заметным вредное влияние емкости сетка - катод лампы. Эта емкость ограничивает скорость процесса опрокидывания и уменьшает передаваемый от одной лампы к другой запускающий импульс. [4]
Процесс опрокидывания импульсного устройства на туннельном диоде ( ТД) начинается с выхода рабочей точки диода на падающий участок его статической характеристики и заканчивается переходом рабочей точки на противоположную восходящую ветвь характеристики. Длительность процесса опрокидывания является важнейшей характеристикой импульсного устройства, в значительной степени определяющей его предельные динамические характеристики. Стадия подготовки определяет задержку и начальную скорость развития лавинообразного процесса. [5]
Длительность процесса опрокидывания ( / опр) равна, очевидно, сумме величин twf и густ. [6]
 |
Транзисторный блокинг. [7] |
После прекращения процесса опрокидывания потенциал коллектора вновь становится равным - 12 в. Таким образом, при поступлении входного импульса на обмотку w4, потенциал коллектора меняется от - 12 в до нуля, затем до - 20 в, после чего снова возвращается к - 12 в. В результате на обмотке w3 возникает импульс напряжения амплитудой 100 в вначале одной полярности, а затем противоположной. С помощью диодов Mz и Дз положительное смещение на под-катодах ограничивается величиной UG независимо от амплитуды положительных импульсов. [8]
Информация о процессе опрокидывания может быть получена приближенным решением уравнения ( 1), а также интегрированием частных ( упрощенных) или приближенных вариантов этого уравнения. [9]
Конденсатор С ускоряет процессы опрокидывания. [10]
Таким образом, процесс опрокидывания может быть разбит на два этапа. В течение первого из них ( до момента достижения максимума разности 2 - i) в устройстве действует положительная обратная связь, значение К. [11]
 |
Типичная схема фантастрона со связью по. [12] |
В фантастроне происходит процесс опрокидывания в конце линейной развертки, обязанный наличию связи между экранирующей и защитной сетками. [13]
При медленном входном сигнале начало процесса опрокидывания определить практически невозможно, так как лавинный процесс начинается медленно. В то же время длительность фронта выходного импульса не зависит от скорости изменения входного сигнала ( если эта скорость достаточно мала) и определяется только параметрами самой схемы. Так как собственное время переключения туннельного диода весьма невелико, то входные сигналы, полученные с транзисторных устройств, являются относительно медленными и указанная выше ситуация является характерной. [14]
 |
Схема фантастрона со связью по экранирующей сетке, в которой используется катодный повторитель для быстрого заряда конденсатора Cj. [15] |
Страницы: 1 2 3 4