Процесс - опрокидывание
Cтраница 4
Поочередное переключение диодов в цепочке происходит благодаря возникновению разности токов ( или напряжений) ТД при сильной связи диодов в процессе опрокидывания. В этом случае диоды переключаются поочередно ( но в произвольном порядке) при весьма малой естественной разности их токов ( напряжений) без внешнего ( искусственного) разделения их порогов. [46]
Если мы имеем систему одинаковых спинов, заселенности уровней которой в одной точке образца отличаются от засе-ленностей в других точках, то процесс опрокидывания спинов будет стремиться выровнять разности заселенностей по всему образцу. Этот процесс известен под названием спиновой диффузии. По существу он создает однородную спиновую температуру по всему образцу, и без него концепция спиновой температуры была бы термодинамически бессмысленной или по крайней мере тривиальной, как в случае одиночного спина. Процесс спиновой диффузии особенно важен в методах динамической поляризации ядер лигандов ( § 12 гл. Благодаря спиновой диффузии происходит постепенный перенос поляризации от лигандных ядер, соседних с парамагнитным ионом, к более удаленным ядрам. Ядра, находящиеся вблизи парамагнитного иона, поляризуются через их взаимодействие с ионом, когда приложено сильное поле СВЧ с частотой электронного резонанса. Конечно, существует барьер процесса диффузии для ближайших лигандных ядер, поскольку они находятся в различных локальных полях вследствие их близости к парамагнитному иону и, таким образом, имеют иную резонансную частоту, чем более удаленные лигандные ядра. Процесс поляризации более удаленных ядер включает поток энергии от парамагнитного иона, источником которого должно быть осциллирующее поле с частотой электронного резонанса. Отсюда возникает возможность проведения экспериментов по ДЭЯР на этих ядрах. Очевидно, что процесс такого ДЭЯР на удаленных ядрах тесно связан с процессом динамической поляризации ядер, как и следует ожидать из аналогичных вычислений, приведенных в § 12 и 13 гл. Он также связан с тем, что главными агентами релаксации ядерных спинов в твердом теле очень часто являются парамагнитные ионы, которые находятся в значительно более тесном контакте с решеткой, чем ядерная спин-система. [47]
После экспериментального определения центра тяжести и момента инерции самого бункера переходим к определению центра тяжести и момента инерции бункера с учетом переменности массы в процессе опрокидывания. [48]
В отсутствие внешних магнитных полей мезон в Миг остается поляризованным в течение всего времени жизни м, - мезона, а в Mus деполяризуется в процессе опрокидывания спина. [49]
Как только напряжение на конденсаторе С2 достигнет значения Еэ напряжение Оэ2 между базой и эмиттером транзистора Т2 становится - равным нулю, Tz начинает запираться, вызывая процесс обратного опрокидывания. При этом 7 выходит из насыщения и также запирается, так как потенциалы коллектора транзистора Т2 и соединенной с ним через резистор oi базы транзистора 7 падают до величины, равной приблизительно - Екъ. [50]
Эту задачу можно решить попеременным запиранием соответствующего диода, для чего каждый из них следует подключить к такой точке схемы, потенциал которой скачком существенно изменяется в процессе опрокидывания. [51]
Сепаратрисы, проходящие через точку Q - Q и точки В - Q или Q - В, ограничивают область максимальных значений начальных перепадов u ( tQ ] и u ( t 0), при которых процесс опрокидывания развивается в правильном направлении и изображающая точка приходит Б одно из двух устойчивых состояний: А - В или В - А. Сепаратрисы, проходящие через точку Q - Q и точки А - Q или Q - А, ограничивают область минимальных значений начальных перепадов. Вертикальные изоклины с наклоном dul / du20 и горизонтальные изоклины с наклоном dui / du2 - - oo ограничивают диапазоны возможных фазовых траекторий изображающей точки. [52]
 |
Инвертирование при трехфазной мостовой схеме питания. [53] |
При трехфазной мостовой схеме питания опрокидывание может сопровождаться нарушением коммутации либо в обеих группах вентилей, либо в одной из них. Процесс опрокидывания при этом протекает по-разному. [54]
Процесс опрокидывания импульсного устройства на туннельном диоде ( ТД) начинается с выхода рабочей точки диода на падающий участок его статической характеристики и заканчивается переходом рабочей точки на противоположную восходящую ветвь характеристики. Длительность процесса опрокидывания является важнейшей характеристикой импульсного устройства, в значительной степени определяющей его предельные динамические характеристики. Стадия подготовки определяет задержку и начальную скорость развития лавинообразного процесса. [55]
Страницы: 1 2 3 4