Процесс - перезаряд
Cтраница 2
 |
Мультивибраторы на основе неустойчивого статического режима тиристора. [16] |
Импульс рабочего цикла характеризуется отрицательным потенциалом на коллекторе триода и формируется после включения тиристора в процессе перезаряда емкости С через RQ до напряжения отпирания триода. [17]
Fn - функциональный коэффициент для п-го интервала, зависящий от структуры цепи на этом интервале и формы участка фазовой траектории процесса перезаряда: С С. [18]
 |
Буферные усилители. [19] |
Независимость в инверторах КМДП-типа логических уравней от удельных проводимостей транзисторов позволяет увеличить значения / С и К и тем самым ускорить процессы перезаряда емкостей нагрузки. [20]
Независимость в К-МДП схемах логических уровней и потребляемой мощности от удельных проводимостей транзисторов позволяет увеличить значения ( За и ipH и тем самым ускорить процессы перезаряда емкостей. [21]
Указанная емкость СО перезаряжается через сопротивления делителя. Процесс перезаряда протекает существенно быстрее, если шунтировать верхнее плечо R делителя емкостью С. В этом случае основная часть перезарядного тока протекает через Су, минуя делитель. [22]
После включения тиристора Т2 конденсатор С начинает перезаряжаться. В процессе перезаряда напряжение на конденсаторе уменьшается. При этом индуктивность LK ограничивает скорость перезаряда конденсатора. Пока напряжение на конденсаторе сохраняет полярность, соответствующую указанной на рис. 3 - 18 6 без скобок, к выключенному тиристору Т будет приложено обратное напряжение и он может восстанавливать свою запирающую способность. Момент, когда напряжение на конденсаторе становится равным нулю, обозначен бч. [23]
Емкость батареи должна быть не менее 60 % номинальной при выпуске из ремонта ТР2 и 65 % при выпуске из ремонта ТРЗ. После окончания процесса перезаряда банки протирают тампоном, смоченным 50 % - ным раствором каустической соды. Наружные поверхности деревянных ящиков покрывают кислотостойким лаком № 441, Отверстия банок и пробок прочищают. Под пробками должны быть резиновые прокладки. Детали межэлементных соединений, имеющие повреждения, заменяют или освинцовывают. [24]
 |
Вольт-амперная характеристики СИД.| Диаграммы переключения СИД. [25] |
Пер складывается из времени включения / вкл и выключения Выкл излучения. Инерционность СИД определяется процессом перезаряда барьерной емкости ( емкости р-гс-перехода) и процессами накопления и рассасывания неосновных носителей в активной области СИД. Для СИД, работающих в режиме визуальной индикации, быстродействие оказывается второстепенной характеристикой, так как инерционность человеческого глаза составляет около 50 мс, что много больше / Пер СИД. [26]
 |
Вольт-амперная характеристика СИД.| Диаграммы переключения СИД. [27] |
Время переключения пер складывается из времени включения tSKn и выключения 1ЪЫКЛ излучения. Инерционность излучающего диода определяется процессом перезаряда барьерной емкости и процессами накопления и рассасывания неосновных носителей в активной области диода. [28]
 |
Устройство диода Шоттки. - - - - - - - - / L. [29] |
Таким образом, в базе диода ( п - Si) не происходит накапливания и рассасывания неосновных носителей. Основным фактором, влияющим на длительность переходных процессов, является процесс перезаряда барьерной емкости. Значение С6ар, как уже было сказано выше, весьма мало ( не более 1 пФ); очень малы также и омические сопротивления электродов: металла и - кремния. Вследствие этого время перезаряда емкости Сбар, а следовательно, и длительность переходных процессов также очень малы и составляют десятые доли наносекунды. [30]
Страницы: 1 2 3 4