Процесс - перезаряд
Cтраница 3
Очевидно, что в статическом режиме потребление тока данным элементом равно нулю. Лишь в момент переключения потребляется ток, определяемый в основном процессами перезаряда емкости нагрузки. Мощность, потребляемая элементом, растет пропорционально частоте переключения. [31]
Задача заключается только в том, чтобы зафиксировать момент, когда напряжение на конденсаторе проходит через нуль. Этот момент можно зафиксировать, применяя схему мультивибратора, где имеет место процесс перезаряда. [32]
 |
Принципиальная схема включения конденсатора для перезаряда.| Схема транзисторного реле времени повышенной стабильности. [33] |
С момента нажатия пусковой кнопки К напряжение питания поступает к обмотке электромагнитного реле Р тактам кнопки, а после их размыкания через открытый транзистор Тг и контакты самого реле. При этом отрицательный полюс конденсатора Ci оказывается соединенным с общим положительным проводом схемы и происходит процесс перезаряда. [34]
ЧГ схеме достигают недопустимо больших значений, приводяхцих к аварийным пробоям. При нагрузке, отличающейся of активной, например при работе на колебательный контур индукционного нагревателя, процесс перезаряда проводит по несколько другому закону. Однако качественная зависимость процессов о т затухания схемы сохраняется: XX и КЗ являются аварийными режимами. [35]
В микромощных схемах предъявляются повышенные требования к величинам барьерных емкостей эмиттерного и коллекторного переходов транзисторов, а также емкости перехода коллектор - подложка. Это обусловлено тем, что с уменьшением токов включения и выключения транзистора все большую роль играют процессы перезаряда барьерных емкостей переходов и других паразитных емкостей схемы. [36]
Во-первых, переход с р-канальных транзисторов на п-канальные позволяет при сохранении прежней степени интеграции БИС увеличить быстродействие ЗУПВ в 2 - 3 раза. Это связано с тем, что при сохранении прежних геометрических размеров 33 удельная проводимость р транзисторов возрастает, что обеспечивает ускорение процессов перезаряда емкостей. [37]
 |
Схема генератора развертки двухлучевого осциллографа Cl-24 ( OK - 17M. [38] |
Она превышает разность между начальным и конечным значениями потенциала анода лампы Лц на величину напряжения на ее экранирующей сетке. Процесс перезаряда производится током почти постоянной величины, так как пентод ограничивает величину тока перезаряда. [39]
Она превышает разность между начальным и конечным значениями потенциала анода лампы Ли па величину напряжения на ее экранирующей сетке. Процесс перезаряда производится током почти постоянной величины, так как пентод ограничивает величину тока перезаряда. [40]
При времени разряда испытуемой обмотки менее 1 мин погрешность в измерении сопротивления изоляции составляет около 10 % в сторону завышения результатов измерения и соизмерима с нормированной величиной допустимого отклонения. На результаты отсчета сопротивления изоляции также оказывает существенное влияние выбранная очередность схемы измерения, особенно в тех случаях, когда возникает необходимость сравнения полученных данных на монтаже с паспортными данными. Эта погрешность связана с процессом перезаряда межобмоточной емкости, связывающей обмотки силового трансформатора, и приводит к получению заниженных результатов. [41]
 |
Тиристорный контактор с конденсаторной коммутацией. а - схема. б - диаграммы токов и напряжений в элементах схемы. в-схема с дополнительным контуром перезаряда конденсатора. [42] |
Процессы, протекающие на интервале перезаряда конденсатора, более скоротечны, чем процессы в нагрузке. Поэтому процесс изменения напряжения на конденсаторе С в процессе перезаряда происходит практически по линейному закону [ 7, с. В момент / 4 напряжение на конденсаторе Ск достигает значения, равного / х, и процесс перезаряда прекращается. [43]
Следует иметь в виду, что требования уменьшения величины А и повышения быстродействия противоречат друг другу. Действительно, наименьшая работа переключения логических биполярных схем достигается путем использования микромощного режима работы биполярных транзисторов, которые при этом обеспечивают малое или среднее быстродействие. Быстродействие И2Л - элемента при малых рабочих токах определяется в основном длительностью процессов перезаряда барьерных областей транзистора и его активных нагрузок. [44]
 |
Тиристорнын преобразователь с двумя ветвями коммутации, а - принципиальная схема. б и в - схемы замещения. [45] |
Страницы: 1 2 3 4