Процесс - полигонизация
Cтраница 3
Субструктура может образоваться, например, в процессе ползучести в результате процесса полигонизации, при нагреве пластически деформированного металла или в результате полиморфного превращения. Рост субзерен без изменения их ориентации в пределах зерна определяет сущность процесса рекристаллизация на месте ( in situ), что приводит к увеличению плотности дислокаций в субграницах и приближению их к устойчивым среднеугловым. Образование дислокационных структур границ ( дислокационных стенок) при нагреве связано, как указывалось ранее, с уменьшением упругой энергии. Образование субграниц при пластической деформации в результате перестройки дислокаций в полосах скольжения ( путем поперечного скольжения или переползания) также приводит к уменьшению энергии. [31]
С точки зрения снижения склонности к образованию трещин з связи с развитием процессов полигонизации полезными являются такие легирующие элементы, которые затормаживают процессы перемещений дислокаций, увеличивают энергию активации полигонизации, имеющую величину того же порядка, что и энергия активации диффузии. [32]
Исследование дислокационной структуры показало, что в металле в процессе длительного старения развиваются процессы полигонизации с перераспределением дислокаций и формированием субзерен внутри исходных пластин. Одновременно идет миграция субграниц, что уменьшает исходную игольчатую направленность матрицы сорбитных зерен. [33]
Этот; тип рекристаллизации - возникает в результате развивающейся рагзориентации без ощутимой миграции границ субзерен, образованных в процессе полигонизации при ползучести. [34]
 |
Зависимость предела выносливости при изгибе от временного сопротивления средне-углеродистых сталей с различной структурой. [35] |
Причиной низкой СРТУ, кроме высокой пластичности сталей, является также развитая субструктура ферритной фазы сорбита, которая формируется при высоком отпуске в результате процесса полигонизации. [36]
Отмеченное различие в характере полигонизации в зависимости от характера исходной ( до отжига) дислокационной структуры деформированного материала имеет существенное значение для понимания взаимосвязи между процессами полигонизации и рекристаллизации, для выяснения вопроса о том, является ли полиго-низация процессом, конкурирующим с рекристаллизацией, или начальной стадией последней. Этот вопрос, длительное время остававшийся дискуссионным, важен для практики. Если рассмотренные процессы конкурирующие, то полигонизация может быть использована для предотвращения рекристаллизации в тех случаях, когда последняя нежелательна. [37]
Для монокристаллов карбида кремния в отличие от большинства полупроводниковых материалов характерно расположение малоугловых границ под углом 120, что соответствует наличию оси симметрии VI порядка в плоскости ( 0001) и часто свидетельствует о происходящем процессе полигонизации. [38]
Тш) обработке давлением одновременно с пластической деформацией протекает рекристаллизация, которая продолжается и после деформации до остывания материала ниже температуры рекристаллизации. Процессы полигонизации и рекристаллизации, происходящие одновременно с деформацией, называют динамическими, так как их эффекты, связанные с разупрочнением, непрерывно чередуются с упрочнением, вызываемым горячим наклепом. [39]
Увеличение числа систем скольжения в совокупности с интенсивным развитием процессов поперечного скольжения и переползания дислокаций облегчает их перемещение по кристаллу. Развитие процесса полигонизации является важной особенностью пластической деформации при высокотемпературной ползучести как внутри зерен, так и вблизи их границ. [40]
В этом основное отличне динамической полигонизации и рекристаллизации от статической. Механизмы процессов статической и динамической полигонизации и рекристаллизации одинаковы. [41]
Механизмы процессов статической и динамической полигонизации и рекристаллизации одинаковы. [42]
 |
Схема кристаллизации металла сварного шва и развития трещины. [43] |
Трещины второго вида возникают не по первичным границам кристаллов, а по участкам, где сосредоточены несовершенства кристаллической решетки - полигонизационным границам ( см. гл. В результате процесса полигонизации резко снижается пластичность литого металла или расширяется температурный интервал хрупкости, что делает металл склонным к межкристаллическому разрушению при температурах ниже солидуса. [44]
При отжиге дислокации перераспределяются, образуя дислокационные стенки ( фиг. Таким образом, процесс полигонизации связан с образованием субзерен с малым углом дезориентации. Этот случай наиболее простой: монокристалл ориентирован таким образом, что при его изгибе ( в плоскости чертежа) активна только одна система скольжения. [45]
Страницы: 1 2 3 4