Процесс - производство - пленка
Cтраница 2
Пленки из синдиотактического полипропилена были получены Чоем и Уайтом [78] экструзией с раздувом рукава. В отличие от пленок из ПЭВП и изотакти-ческого полипропилена, в процессе производства пленки из синдиотактический полипропилена не проявляется выраженной линии кристаллизации пузыря - он постепенно расширяется в широкой технологической зоне. Причина состоит в относительно низкой скорости кристаллизации. [16]
Особенностью данного агрегата является применение червячной головки, позволяющей избежать возникновения застойных зон, которые способствуют разложению продукта. В результате этого отпадает необходимость в частой чистке головки, получается более равномерная зона давлений перед формующей щелью, обеспечивается возможность изготовления более широких пленок или листов и можно точнее регулировать процесс производства пленки. [17]
Образования замкнутых областей с противоположными направлениями намагничивания по толщине слоя ( подобными изображенным на рис. 1.10) не происходит. Кристаллографическая структура пленок для веществ с малыми значениями KI, например пермаллоевых, характеризуется самопроизвольным возникновением одноосной анизотропии с направлением оси легкого намагничивания в плоскоети пленки. Иногда такая анизотропия создается принудительно в процессе производства пленки. [18]
 |
Различные структуры доменов в магнитных пленках ( а и зависимость удельной магнитной энергии пленки от ее толщины для разных структур ( б. [19] |
Образования замкнутых областей с противоположными направлениями намагничивания по толщине слоя ( подобными изображенным на рис. 1.10) не происходит. Кристаллографическая структура пленок для веществ с малыми значениями / Сь например пермаллоевых, характеризуется самопроизвольным возникновением одноосной анизотропии с направлением оси легкого намагничивания в плоскости пленки. Иногда такая анизотропия создается принудительно в процессе производства пленки. [20]
 |
Различные структуры доменов. [21] |
В связи с этим возникающие в них явления отличаются от явлений в массивных образцах. Ввиду того что коэффициент размагничивания в плоскости пленки на много порядков меньше, чем в направлении нормали к пленке, вектор намагниченности располагается параллельно плоскости пленки. Образование замкнутых на себя областей с противоположными направлениями намагничивания по толщине слоя не происходит. Кристаллографическая структура пленок для магнитомягких веществ, например для пермаллоя, характеризуется самопроизвольным возникновением одноосной анизотропии с направлением оси легкого намагничивания в плоскости пленки. Иногда такая анизотропия создается принудительно в процессе производства пленки. [22]
Страницы: 1 2