Cтраница 2
Катодное распыление проводят в течение 5 - 60 мин при напряжении 1100 - 1400 В и давлении 0 1 - 0 2 мм рт. ст. В процессе катодного распыления температура поверхности детали не превышает 250 С. [16]
Катодное распыление проводят в течение 5 - 60 мин гари напряжении 1100 - 1400 В и давлении 0 1 - 0 2 мм рт. ст. В процессе катодного распыления температура поверхности детали не превышает 250 С. [17]
Катодное распыление проводится в течение 5 - 60 мин при напряжении 1100 - 1400 В и давлении 0 1 - 0 2 мм рт. ст. В процессе катодного распыления температура поверхности детали не превышает 250 С. [18]
Схемы аргоно-дуговой сварки. [19] |
Если изменить полярность на обратную ( плюс на электроде), то дуга хорошо очищает поверхность сплава и ванну от окислов вследствие бомбардировки ее положительными ионами и благодаря процессу катодного распыления; сварка происходит без применения флюса, однако при сварке электрод сильно разогревается, дуга горит неустойчиво и поэтом практически сварку на обратной полярности почти, не применяют. Для достижения эффекта очистки поверхности и устойчивого процесса аварки легкоокисляющихся сплавов ( алюминиевых, магниевых) применяют переменный ток. [20]
Катодное распыление проводят в течение 50 - 60 мин при напряжении 1100 - 1400 В и давлении 0 13 - 10а - 0 26 - 10 - Па В процессе катодного распыления температура поверхности детали не превышает 250 С. [21]
Установка для ионно-плазменного распыления. [22] |
Характерно, что большинство пленок нитридов и карбидов тугоплавких металлов, полученных при катодном распылении, становится сверхпроводящим при более вы - соких температурах, чем чистые металлы, что, по-видимому, объясняется изменением их структуры в процессе катодного распыления. [23]
Катодное распыление проводят в течение 5 - 60 мин при напряжении 1100 - 1400 В и низком давлении. В процессе катодного распыления температура поверхности детали не превышает 250 С. [24]
Катодное распыление проводят в течение 50 - 60 мин при напряжении 1100 - 1400 В и давлении 0 13 - 102 - 0 26 10s Па. В процессе катодного распыления температура поверхности детали не превышает 250 С. [25]
Так, катодное распыление позволяет осаждать более однородные пленки тугоплавких и сложных по химическому составу материалов на большой площади. Однако в процессе катодного распыления происходит реакция распыляемого вещества с остаточными газами в камере, что существенно ухудшает воспроизводимость основных свойств таких пленок. Наличие остаточных газов в виде неконтролируемых, добавок к инертному газу связано с их десорбцией во время распыления с внутренней поверхности рабочей камеры. Эффективность откачки десорбированных газов при сравнительно высоком давлении в рабочей камере, необходимом для поддержания плазмы, является недостаточной. [26]
При определенных режимах в газоразрядной камере положительные ионы бомбардируют поверхность катода, передают ей энергию и разогревают до высоких температур. Параллельно с этим протекает процесс катодного распыления, при котором частицы катода отрываются от поверхности и летят во все стороны, оседая на стенках камеры и других деталях. Катодное распыление, как и нагрев, происходит по всей поверхности катода, покрытой разрядным свечением. [27]
Это объясняется необходимостью более сильной электронной бомбардировки кремния, а также и тем, что образующиеся пленки SiOz примерно в 4 раза более проницаемы для электронов. Ввиду того, что в процессе катодного распыления детали сильно разогреваются, процесс нанесения пленок приходится производить с периодическим охлаждением деталей. [28]
Тлеющий разряд и распределение потенциала напряжения в его областях. [29] |
Существует ряд теорий процесса ионного распыления. Наиболее вероятной является теория, объясняющая процесс катодного распыления с позиции импульсного механизма. Согласно этой теории положительный ион, ударясь о поверхность катода ( мишень), проникает в него на некоторую глубину. При этом ион смещает отдельные атомы решетки, постепенно теряя энергию и переходя в состояние покоя. Некоторые из смещенных атомов диффундируют к поверхности катода и отрываются от нее. Помимо этого, часть смещенных атомов, приобретая достаточную энергию, производит дополнительное смещение соседних, что существенно увеличивает эффективность распыления. [30]