Cтраница 1
Процесс комбинационного рассеяния в принципе аналогичен процессу двухфотонного поглощения, за исключением того, что в первом частота перехода в / в среде равна разности частот двух электромагнитных волн. Одна из входных волн обычно представляет собой мощный лазерный луч с частотой сор, тогда как вторая волна называется сигналом и представляет собой рассеянное излучение с частотой cos. Таким образом, условие комбинационного рассеяния имеет вид сор - со8 ( ог. [1]
Такое разделение процесса комбинационного рассеяния на процессы, описываемые двухзотшыми и трех-зонными вкладами, удобно для обсуждения резонансного комбинационного рассеяния, при котором доминирующие вклады в ( fijt) uv соответствуют временной последовательности, Представленной на диаграммах фиг. [2]
Поскольку в процессах комбинационного рассеяния участвуют упругие колебания решетки всех частот, этот тип передачи энергии наиболее эффективен в релаксационном механизме при достаточно высоких температурах, когда число колебаний решетки велико. При низких температурах главную роль играет резонансный обмен. [3]
Малая длительность, присущая процессу комбинационного рассеяния, может быть также использована для отделения солнечного фонового излучения при изучении небольшого интервала расстояний. [4]
Из закона сохранения квазиимпульса при процессе комбинационного рассеяния следует, что волновые векторы фотонов и фононов, участвующих в этом процессе, имеют одинаковый порядок величины. [5]
Несмотря на появление новых частот, процесс комбинационного рассеяния является линейным по интенсивности падающего света и относится, как и ман-делынтам-бриллюэновское рассеяние, к параметрическим процессам. [6]
Если три зоны, участвующие в процессе комбинационного рассеяния, хорошо разделены, то резонанс имеет место только с одной энергетической щелью. Из выражений (2.36) и (2.41) следует, что в этом случае резонансная часть трехзоиного тензора комбинационного рассеяния, обусловленного смещением атомов из положения равновесия, пропорциональна междузонной электронной поляризуемости. [7]
Из (21.36) следует, что в процессе комбинационного рассеяния второго порядка могут принимать участие фононы не только начала первой зоны Бриллюэна, но и любой ее точки, в частности лежащей на границе зоны. Таким образом, изучение спектров второго порядка позволяет получить информацию о фононном спектре всей первой зоны Бриллюэна. [8]
Одним из недостатков описанных выше методов, в которых процесс комбинационного рассеяния рассматривается во втором порядке теории возмущений, является то, что собственные функции невозмущенной электронной подсистемы относятся к неравновесной конфигурации ядер. Конкретный вид таких функций остается неизвестным; поэтому оценки матричных элементов, входящих в выражения для тензора рассеяния, оказываются невозможными. Более естественно использовать в качестве невозмущенных функций электронной подсистемы функции, относящиеся к равновесной конфигурации ядер, а влияние колебаний ядер учитывать путем введения дополнительного возмущения, обусловленного взаимодействием электронов и фононов. [9]
Внутреннее или внешнее электрическое поле двумя различными путями видоизменяет процесс комбинационного рассеяния. В первом случае электрическое поле вызывает относительное смещение из положения равновесия ионов, что приводит к изменению периодического потенциала рещетки, а также собственных волновых векторов и энергий колебаний решетки. Во втором случае электрическое поле вызывает междузонное и / или внут-ризонное смешивание одноэлектронных волновых функций кристалла. Внутризонное смешивание соответствует эффекту Франца - Келдыша. [10]
В этом пункте мы рассмотрим частный случай, когда в процессе комбинационного рассеяния света в среде возбуждаются молекулярные колебания или фононы. Этот случай является наиболее важным, так как по крайней мере 90 % всех опубликованных работ по комбинационному рассеянию света посвящены рассеянию молекулярными колебаниями или фононами. Однако, как показано в предыдущем разделе, усиление при вынужденном комбинационном рассеянии света можно описать классически как результат параметрической связи между электромагнитными волнами и волнами возбуждений в веществе. [11]
Приближение эффективной массы дает хорошую основу для обсуждения некоторых экспериментально наблюдаемых разрешенных процессов комбинационного рассеяния. В этом разделе излагается новая теория переходов с акцепторного уровня. [12]
В работе [2.12] было показано, что результаты, полученные с использованием поляритонных представлений для процессов комбинационного рассеяния первого порядка, эквивалентны результатам, полученным с помощью теории зависящих от времени возмущений третьего порядка. [13]
Чтобы обсудить этот случай, удобно рассмотреть такую модель, в которой разность энергий двух зон, участвующих в процессе комбинационного рассеяния, соответствует их спин-орбитальному расщеплению. Этот важный случай имеет место в полупроводниках со структурой алмаза и цинковой обманки. [14]
В предыдущем разделе мы отметили, что предполагаются в основном два механизма для объяснения влияния внешних ( или внутренних) электрических полей на процессы комбинационного рассеяния света. Первый механизм связан со смещением ионов кристалла из положения равновесия индуцированным электрическим полем. [15]