Процесс - рекомбинация - носитель
Cтраница 1
Процессы рекомбинации носителей в р-п-переходе и в базе биполярного транзистора, а также генерационно-рекомби-национные процессы на поверхности кристалла полупроводника сопровождаются возникновением низкочастотных шумов. [1]
Процесс рекомбинации носителей в полупроводнике существенно отличается от такового в изоляторе. Например, суперлинейность может проявляться в полупроводнике, имеющем только один класс основных состояний. Кроме того, фототоки в полупроводниках сопровождаются большими шумами, чем в изоляторе. [2]
 |
Включение транзистора в схему усилителя. [3] |
Чтобы процесс рекомбинации носителей зарядов в базе не снижал усиления транзистора, толщина базы должна быть много меньше длины диффузионного пробега носителей зарядов. [4]
Как влияет процесс рекомбинации носителей в / з-и-переходе диода на его вольт-амперную характеристику. [5]
Как влияет процесс рекомбинации носителей заряда в р-п-переходе диода на его ВАХ. [6]
Что называют процессом рекомбинации носителей заряда. [7]
Таким образом, процессы рекомбинации носителей заряда в ОПЗ эмиттера приводят к сильному уменьшению коэффициента передачи тока в области малых токов эмиттера. [8]
Они объясняются изменением процессов рекомбинации носителей заряда на поверхности и г приповерхностной области объемного заряда, состоящим в возрастании эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда. [9]
 |
Изменение во времени токов коллектора и базы транзистора, включенного по схеме с общей базой, в случае действия на его входе импульса тока / э. [10] |
Установившийся базовый ток определяется процессом рекомбинации носителей. [11]
Составляющую прямого тока, связанную с процессом рекомбинации носителей в / з-п-переходе, называют рекомбинационным током. Надо понимать условность этого термина, так как прямой ток, связанный с инжекцией неосновных носителей в прилегающие к переходу области ( см. § 3.2), также сопровождается рекомбинацией инжектированных носителей либо в базе диода, либо на омическом переходе диода. При больших для диода прямых напряжениях высота потенциального барьера на переходе небольшая. Поэтому прямой ток при больших прямых напряжениях будет вызван в основном инжекцией носителей через уменьшенный потенциальный барьер перехода. [12]
 |
Зависимость коэффициента отражения re - InSb от длины волны в области собственной частоты колебаний плазмы для г4. 1018 ( /, 2 8 - 1018 ( 2, 1 2 - 1018 ( 3, 4 2 - К 1. ( 4, 3 5 - 1017 ( 5 см-3. [13] |
Все это однозначно доказывает, что в полупроводниках происходят процессы рекомбинации носителей, которые не сопровождаются испусканием квантов света. К числу таких процессов относится ударная рекомбинация. Этот механизм рекомбинации связан с взаимодействием трех носителей: двух электронов и одной дырки или двух дырок и одного электрона. Электрон и дырка рекомбинируют, а освободившаяся энергия и импульс передаются третьему носителю. Ударной рекомбинации соответствует обратный процесс - ударная ионизация: электрон или дырка, обладающие запасом кинетической энергии, вызывают рождение электронно-дырочной пары или ионизируют примесь. [14]
Обратный процесс сваливания электронов из зоны проводимости в валентную носит название процесса рекомбинации носителей. [15]
Страницы: 1 2 3