Процесс - рекомбинация - носитель
Cтраница 2
Что касается мелкозернистых пленок, то необходимо разработать способы пассивации границ зерен для устранения их воздействия на процессы рекомбинации носителей заряда. [16]
Чтобы разобраться в физическом смысле этого результата, вспомним, что в данном случае из-за малой толщины базы процесс рекомбинации носителей в ее объеме уже не является определяющим. Главным теперь оказывается уход неосновных носителей заряда на омический переход с последующей рекомбинацией. Отсюда следует, что время существования заряда в базе теперь будет определяться временем пролета носителей заряда через базу диода. [17]
Чтобы разобраться в физическом смысле этого результата, вспомним, что в данном случае из-за малой толщины базы процесс рекомбинации носителей в ее объеме уже не является определяющим. Главным теперь оказывается уход неосновных носителей заряда на невыпрямляющий контакт с последующей рекомбинацией. Отсюда следует, что время существования заряда в базе теперь будет определяться временем пролета носителей заряда через базу диода. [18]
Чтобы разобраться в физическом смысле этого результата, вспомним, что в данном случае из-за малой толщины базы процесс рекомбинации носителей в ее объеме уже не является определяющим. Главным теперь оказывается уход неосновных носителей заряда на омический переход с последующей рекомбинацией. Отсюда следует, что время существования заряда в базе теперь будет определяться временем пролета носителей заряда через базу диода. [19]
В работе [24] рассматриваются стационарные фотоипдуцированные токи в сегнетоэлектри-ках с учетом не только возбуждения примеси, но и процессов рекомбинации носителей, их рассеяния на примеси и фононах. При этом авторы [24] ограничиваются простой моделью энергетической структуры кристалла, когда в запрещенной зоне имеется примесный уровень. [20]
 |
Бескорпусный p - i - n диод в полосковой линии. [21] |
Если диапазон управляющих напряжений выключателя с p - i - n диодом лежит целиком в области прямых смещений, то время восстановления определяется главным образом процессом рекомбинации носителей заряда в i-области. [22]
Большинство из перечисленных параметров измеряется в конкретном режиме, длительность процессов, принятых в качестве параметра диода, определяется не только электрофизическими параметрами диода ( скоростью процесса рекомбинации носителей заряда), но в существенной мере параметрами схемы и формой испытательных импульсов. [23]
В р - п - р - n - структуре, находящейся во включенном состоянии, все р - n - переходы смещены в прямом направлении, в базовых слоях накоплены избыточные носители заряда и между процессом рекомбинации носителей и инжекцией их эмиттерны-ми переходами сохраняется динамическое равновесие. Подача импульса выключающего тока в базовый слой структуры приводит к тому, что динамическое равновесие смещается в сторону уменьшения накопленного заряда в базах. Заряд уменьшается в обеих базах: в базе, в которой течет ток управления, заряд уменьшается из-за снижения тока через примыкающий эмит-терный переход на значение тока управления, а во второй базе заряд уменьшается из-за соответствующего снижения потока носителей через коллекторный переход, что приводит к уменьшению инжекции носителей вторым эмиттерным переходом. [24]
При прямом напряжении на диоде носители разных знаков подходят к p - n - переходу. Составляющую прямого тока, связанную с процессом рекомбинации носителей в р-п-переходе, называют рекомбинационным током. Надо понимать условность этого термина, так как прямой ток, связанный с инжекцией неосновных носителей в прилегающие к переходу области ( см. § 3.2), также сопровождается рекомбинацией инжектированных носителей либо в базе диода, либо на омическом переходе диода. При больших для диода прямых напряжениях высота потенциального барьера на переходе небольшая. Поэтому прямой ток при больших прямых напряжениях будет вызван в основном инжекцией носителей через уменьшенный потенциальный барьер перехода. [25]
В полупроводниковых материалах с большой шириной запрещенной зоны ( GaAs, GaP, SiC) вероятность излучательной рекомбинации достаточно высока, что и определяет возможность изготовления на их основе источников света. В отличие от указанных материалов в германии и кремнии процесс рекомбинации носителей с излучением света в обычных условиях маловероятен. [26]
По мере увеличения коэффициента поглощения а уменьшается глубина генерации носителей фототока. Рождение электронно-дырочных пар происходит в тонком приповерхностном слое, поэтому большую роль начинают играть процессы рекомбинации носителей на поверхности фоторезпстора. Если скорость рекомбинации мала, фототек по мере увеличения энергии кванта hv увеличивается до определенного значения, после чего остается неизменным. Значение энергии кванта света со стороны длинноволнового края поглощения, соответствующее приведенному фототоку / фДфтах 0 5, позволяет оценить ширину запрещенной зоны полупроводникового материала, из которого выполнен фоторезистор. [27]
Образование свободных электронно-дырочных пар под действием излучения, которое вызывает межзонные переходы, приводит к увеличению числа свободных носителей тока обоих видов. Для вычисления стационарной концентрации добавочных носителей тока необходимо рассмотреть также и обратный процесс - процесс рекомбинации носителей тока ( см. гл. [28]
В случае солнечного элемента на основе a - Si: Н диффузионная длина неосновных носителей находится в пределах 0 15 мкм, так что фототек главным образом создается и движется под действием диффузионного поля в истощенном слое. Таким образом, поведение истощенного слоя в солнечном элементе под действием света и приложенного напряжения и процессы рекомбинации носителей существенно отличаются от таковых в кристаллическом материале. [29]
Во всех случаях нарушения равновесия каждый объем полупроводника остается электронейтральным. Но так как равновесие, характеризуемое соотношением (1.2), в области повышенной концентрации нарушается, то начинает преобладать процесс рекомбинации носителей заряда. [30]
Страницы: 1 2 3