Процесс - смещение - граница
Cтраница 3
Следовательно, для повышения быстродействия запоминающих и логических элементов на тонких пленках необходим такой режим работы, при котором отсутствовали бы процессы смещения границ доменов. Поэтому одной из задач технологии изготовления магнитных пленок является создание таких условий, при которых процессы доменообразования были бы затруднены и перемагничивание происходило бы только за счет вращения вектора намагниченности. [31]
Процесс смещения доменных стенок, приводящий к сильному увеличению намагниченности, происходит в слабых полях, что находит свое объяснение в теории процессов смещения границ доменов. [32]
 |
Теоретические петли гистерезиса тонких пленок при. [33] |
Описанная идеальная картина перемагничивания, полученная на модели вращений намагниченности, в реальных пленочных элементах осложняется рядом факторов, из которых основным является процесс смещения границ между доменами. [34]
Однако в большинстве случаев в этом отношении 1 - й механизм не может конкурировать со 2 - м, и разработка высококоэрцитивных материалов идет в направлении исключения возможности процессов смещения границ, например путем перехода к однодо-менным частицам, к порошку, и тем самым к осуществлению 2-го механизма. [35]
Контраст оптического изображения доменной структуры пермаллоевых и других ферромагнитных пленок, полученного с использованием магнитооптического эффекта достаточен как для визуального наблюдения, так и для фотографирования и получения телевизионных изображений процессов смещения границ доменов. При помощи различных масок, устанавливаемых в плоскости оптического изображения, создаваемого линзой можно выделять локальные участки пленки для получения движения характерных участков доменных границ и определения пространственных корреляционных характеристик флуктуационных составляющих намагниченности. [37]
Описанные выше явления, по-видимому, могут быть объяснены так называемой магнитной вязкостью ферромагнитных веществ, входящих в утяжеленный глинистый раствор, проявляющейся в запаздывании намагниченности этого вещества и обусловленной главным образом процессом смещения границ между областями самопроизвольной намагниченности. [38]
Интересно отметить, что время перемагничивания одного и того же образца уменьшается в несколько раз при действии постоянного магнитного поля, направленного, как на рис. 12.8. Это объясняется тем, что при наличии постоянного поля процессы вращения намагниченности преобладают над процессами смещения границ доменов. Следовательно, для повышения быстродействия запоминающих и логических элементов на тонких пленках необходимо изыскать режимы работ, при которых отсутствовали бы процессы смещения границ доменов. Поэтому одной из задач технологии изготовления магнитных пленок является получение таких условий, при которых процессы доменообразования были бы как можно более затруднены и перемагничивание происходило бы только за счет вращения намагниченности. Можно также рекомендовать режим работы, при котором запись производится полем, направленным вдоль оси легкого намагничу вания, а считывание - полем, прикладываемым вдоль оси тяжелого намагничивания. [39]
Внесение ферромагнетика во внешнее магнитное поле вызывает: 1) поворот магнитных моментов доменов в направлении внешнего поля - процесс ориентации; 2) рост размеров тех доменов, направления магнитных моментов которых близки к направлению поля, и уменьшение доменов с противоположно направленными магнитными моментами - процесс смещения границ доменов. В результате ферромагнетик намагничивается. [40]
Внесение ферромагнетика во внешнее магнитное поле вызывает: 1) поворот магнитных моментов доменов в направлении внешнего поля - процесс ориентации; 2) рост размеров тех доменов, направления магнитных моментов которых близки к направлению поля, и уменьшение размеров доменов с противоположно направленными магнитными моментами - процесс смещения границ доменов. В результате ферромагнетик намагничивается. [41]
Процесс намагничивания, связанный с изменением геометрического положения границ, разделяющих ферромагнитные области с разными направлениями магнитных моментов, носит название смещение границ. Процессы смещения границ обычно преобладают на начальном участке кривой намагничения. [42]
 |
Характер изменения градиента поверхностной энергии d - f / dx при смещении 180-градусной границы. [43] |
Если после достижения технического насыщения начать перемагничива-ние образца в противоположном направлении, то наиболее интенсивные процессы смещения границ наблюдаются, в основном, в крутой части петли гистерезиса. Процессы смещения границ при обратном перемагничивании обычно начинаются с роста зародышей, т.е. областей, имеющих составляющую намагниченности, противоположную суммарной намагниченности образца даже при техническом насыщении. Роль этих зародышей могут играть, например, области, замыкающие магнитный поток на краях образца, а также области вблизи включений, царапин, локальных напряжений. [44]
Процессы намагничивания материалов обеих групп протекают аналогично, но количественное соотношение процессов смещения гра ниц доменов и вращения различно. Процессы смещения границ требуют меньших затрат энергии, чем процессы вращения. В магнитомягких материалах намагничивание происходит в основном за счет смещения границ доменов, а в магнитотвердых - за счет вращения вектора намагниченности. [45]
Страницы: 1 2 3 4