Процесс - смещение - граница - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Лучше помалкивать и казаться дураком, чем открыть рот и окончательно развеять сомнения. Законы Мерфи (еще...)

Процесс - смещение - граница

Cтраница 4


Процессы намагничивания материалов обеих групп протекают аналогично, но количественное соотношение процессов смещения границ доменов и вращения различно. Процессы смещения границ доменов требуют меньших затрат энергии, чем процессы вращения. В магнитомягких материалах намагничивание происходит в основном за счет смещения границ доменов, а в магнитотвердых - за счет вращения вектора намагниченности.  [46]

Необходимо иметь в виду, что описанное выше разграничение участков кривой начального намагничивания весьма условно. В действительности процесс смещения границ и процесс вращения могут протекать одновременно.  [47]

Проницаемость ферромагнетиков определяется как процессами поворота спинов в доменах в направление, более близкое к направлению внешнего поля [ Авращ, так и обратимыми и необратимыми смещениями границ доменов [ лскещ. Доли участия процессов смещения границ и вращения спинов в общем значении намагниченности у ферритов разных марок при различных значениях напряженности поля различны.  [48]

49 Процесс изменения доменов при намагничивании ферромагнитного материала. [49]

Физически возникновение остаточного магнетизма и насыщения объясняется тем, что в ферромагнитных материалах группы атомов и молекул образуют элементарные магнитики ( домены), самопроизвольно намагниченные в определенном направлении. При намагничивании вначале происходит процесс смещения границ, разделяющих соседние домены. Этот процесс происходит скачкообразно и имеет место на прямолинейной части кривой намагничивания.  [50]

51 В процессе намагничивания ферромагнитного материала вначале происходит процесс смещения границ областей самопроизвольного намагничивания, а затем - поворот магнитных моментов электронов в направлении внешнего поля. [51]

Возникновение остаточного магнетизма объясняется следующими причинами. При намагничивании вначале происходит процесс смещения границ, разделяющих соседние области самопроизвольного намагничивания. Этот процесс происходит скачкообразно и имеет место на прямолинейной части кривой намагничивания.  [52]

53 Эффект Баркгаузена и схема акустической установки для его наблюдения. [53]

Область приближения к насыщению лежит в области сильных полей и определяется главным образом обратимыми процессами вращения, в результате которых направление вектора спонтанной намагниченности постепенно приближается к направлению внешнего поля. Начало области соответствует окончанию процессов смещения границ.  [54]

Бели периодически повторять процесс перемагничивания, то можно визуально наблюдать, что конфигурация доменов повторяется в последовательных циклах только в самых общих чертах. Особенно заметна неустойчивость в процессах смещения границ, когда амплитуда внешнего поля близка к значению критического поля доменообразования.  [55]

При намагничивании ферритов ( как и ферромагнетиков) происходит смещение границ между доменами и вращение векторов намагниченности каждого домена. В слабых полях у большинства ферритов с малой анизотропией преобладают процессы смещения границ. Для легкого смещения границ доменов необходимо, чтобы энергия закрепления границ была минимальной.  [56]

Площадь петли гистерезиса и коэрцитивная сила (10.11), обусловленные задержкой в росте зародышей, должны зависеть от формы образца, поскольку форма влияет на суммарный коэффициент анизотропии. Если этой зависимости нет, то прямоугольная петля обусловлена в основном задержкой процессов смещения границ.  [57]

Особый интерес представляет изучение флуктуационных явлений, возникающих при перемагничивании. При перемагничивании в легком направлении пленки обладают сравнительно простой конфигурацией доменов, и процессы смещения границ можно непосредственно наблюдать при помощи практически безынерционного магнитооптического метода.  [58]

Вторая особенность заключается в существовании двух областей дисперсии действительной ( упругой) части проницаемости и соответствующих им двух максимумов мнимой ( не упругой) части проницаемости. В настоящее время можно считать, по-видимому, установленным, что первая область дисперсии обусловлена процессами смещения границ, а вторая ( высокочастотная) связана с процессами вращения векотра магнитного момента внутри доменов. Первая область лежит обычно в пределах 1 - 100 Мгц, вторая - lOQ - н - ЗООО Мгц. Вторая область дисперсии, именуемая областью естественного ферромагнитного резонанса, обусловлена резонансной прецессией вектора намагниченности во внутреннем эффективном магнитном поле, состоящем из поля кристаллографической анизотропии и размагничивающего поля. Первая область дисперсии у многих ферритов, особенно с высокой электропроводностью, является размытой настолько, что носит релаксационный харакетр. Это обстоятельство связано с наличием медленных ( с временем релаксации при комнатной температуре 1 ( Н сек) электронных процессов, активно протекающих в первой области дисперсии. Доказано, что на сверхвысоких частотах эти же релаксационные процессы приводят к максимуму ширины линии ферромагнитного резонанса в образцах, содержащих примеси двухвалентного железа, при низких ( 50 К) температурах.  [59]

Интересно отметить, что время перемагничивания одного и того же образца уменьшается в несколько раз при действии постоянного магнитного поля, направленного, как на рис. 12.8. Это объясняется тем, что при наличии постоянного поля процессы вращения намагниченности преобладают над процессами смещения границ доменов. Следовательно, для повышения быстродействия запоминающих и логических элементов на тонких пленках необходимо изыскать режимы работ, при которых отсутствовали бы процессы смещения границ доменов. Поэтому одной из задач технологии изготовления магнитных пленок является получение таких условий, при которых процессы доменообразования были бы как можно более затруднены и перемагничивание происходило бы только за счет вращения намагниченности. Можно также рекомендовать режим работы, при котором запись производится полем, направленным вдоль оси легкого намагничу вания, а считывание - полем, прикладываемым вдоль оси тяжелого намагничивания.  [60]



Страницы:      1    2    3    4