Cтраница 4
Приведенные данные показывают перспективность использования метода физико-химического анализа для изучения процесса соосаждения. [46]
Другим чрезвычайно распространенным методом увеличения чувствительности реакций, основанном на процессе соосаждения, является увеличение следов открываемого вещества в твердую фазу при помощи так называемых коллекторов, или носителей. Коллектором называется вещество, которое способно при выпадении в осадок захватывать из раствора ничтожные количества посторонних ионов. Например содержание в растворе ионов Си может быть настолько малым, что они не будут осаждаться сероводородом. Если к испытуемому раствору прибавить немного ионов Hg, то при пропускании сероводорода образуется осадок HgS. Последний захватывает с собой ионы меди. При прокаливании выделившегося осадка, содержащего HgS и CuS - ртуть будет удалена ( HgS при прокаливании переходит в HgO, которая разлагается на улетучивающиеся ртуть и кислород), a CuS превратится в окись меди. [47]
Влияние температуры на ход процесса выделения никель - и кобальт-вольфрамовых сплавов из кислых перекисных ( а и аммиачно-перекисных ( б электролитов. Обозначения те же, что и на 19. [48] |
Этот факт находится в согласии с ранее изложенной точкой зрения относительно процесса соосаждения вольфрама. [49]
Приведенные два примера иллюстрируют возможности применения линейного закона распределения Хлопина в процессах соосаждения некоторых гидроокисей металлов из водных растворов. [50]
Если примеси образуют с осаждаемым веществом твердые растворы или изоморфные кристаллы, процессы соосаждения протекают значительно сложнее и предвидеть заранее характер соосажденных примесей не всегда возможно. [51]
В последние годы в литературе все чаще подчеркивается роль ионного обмена в процессе соосаждения. В связи с этим интересно упомянуть работы В. Т. Чуйко с сотрудниками, которые изучали концентрирование микропримесей гидроокисями и сульфидами, а также механизм явления. По мнению Чуйко, общеизвестные причины соосаждения, сокристаллизация, первичная обменная адсорбция, ионный обмен регулируются одним и тем же доминирующим процессом - конкуренцией ионов компонентов за места в кристаллической решетке. [52]