Процесс - химическое травление
Cтраница 1
 |
Схема установки для обезжиривания полупроводников в горячем растворе. [1] |
Процесс химического травления протекает в несколько этапов, включающих диффузию компонентов травителя к поверхности полупроводника, адсорбцию их на этой поверхности, поверхностные реакции, десорбцию продуктов реакции и их диффузию в объем травителя. [2]
Процессы химического травления металлов протекают с сопряженной реакцией восстановления какого-либо окислителя. [3]
Процесс химического травления полупроводников не определяется только свойствами твердой фазы. [4]
Процессу химического травления уделяется наименьшее внимание при изготовлении печатных плат, хотя он имеет отнюдь не самое малое значение. [5]
Ускорение процесса химического травления черных металлов в 3 - 4 раза может быть достигнуто применением струйного. Струйная обработка по сравнению с методом окунания интенсифицирует все процессы, поскольку к обрабатываемым деталям все время подводятся свежие порции раствора. Кроме того, струя оказывает и механическое воздействие, способствуя быстрому удалению с очищаемой поверхности - продуктов растворения окалины и ржавчины. Установлено, что при струйном травлении происходит меньшее наводороживание, чем при травлении в стационарных ваннах. [6]
В действительности процесс химического травления представляет собой две противоположно направленные сопряженные электрохимические реакции. В сопряженных реакциях число электронов, выделенных при одной реакции, равно числу электронов, поглощаемых при другой реакции. Реакция, идущая с отдачей электрона, относится к анодному процессу. Реакция, идущая с приобретением электрона, относится к катодному процессу. [7]
С целью интенсификации процесса химического травления деталей, особенно при массовом производстве, применяют метод струйного травления. [8]
 |
Подтравливание металла под защитную пленку при глубоком травлении алюминиевых сплавов. [9] |
При обработке алюминиевых сплавов процессу химического травления предшествует обезжиривание, травление в 5 % - ном растворе щелочи, осветление в азотной кислоте, анодное оксидирование в растворе серной кислоты и наполнение пленки в растворе хромпика. [10]
Для устранения указанных недостатков, свойственных процессу химического травления, рекомендуется в растворы серной и соляной кислот вводить так называемые травильные присадки - органические или неорганические вещества. [12]
При изготовлении МПП используются в том числе процессы избирательного химического травления фольги на поверхности фоль-гированных листовых диэлектрических материалов для получения печатных проводников и электрохимической металлизации сквозных отверстий для получения межслойных соединений. Рамку-основание и рамку-вкладыш делают из сплава АЛ-2 литьем под давлением с последующей механической обработкой резанием поверхностей сопряжения с другими деталями ТЭК и элементов фиксации. Крышки-экраны штампуют из листового алюминиевого сплава АМц. Покрытия металлических деталей ТЭК, как правило, многослойные. [13]
В современном ламповом производстве для извлечения молибденового керна из тел накаливания применяется процесс химического травления, при котором происходит растворение молибдена из биметаллической системы Mo-W. Процесс химического растворения экологически опасен, так как образуются сильнокислые молибденсо-держащие растворы примерного состава ( % мае. [14]
Интервале ее режимов происходит травящее разрушение поверхности стекол ( фото 79), аналогичное процессу химического травления. Было установлено наличие критического порога разрушения и распыления стекла. Следует отметить, что вообще применение ионной бомбардировки для выявления структуры поверхности электронно-микроскопических объектов в ряде случаев представляется весьма перспективным. Так, Крохиной и Спиваком [28] было показано, что путем ионной бомбардировки диэлектриков получаются фигуры травления, отображающие симметрию кристаллографического среза. [15]
Страницы: 1 2