Процесс - химическое травление
Cтраница 2
Большинство химических процессов, связанных с очисткой поверхности полупроводника, выявлением его структурных или других дефектов, удалением материала, относятся к разряду процессов химического травления. [16]
На основании данных таблиц и анализа поляризационных кривых установлено, что при плотностях тока, соответствующих первому участку ав кривой / - Е, происходит процесс химического травления и частично анодирования алюминия. [17]
Регенерация отработанных азотнокислых травильных растворов также может быть осуществлена методом электролиза, однако, в этом случае процесс усложняется, так как происходит восстановление азотной кислоты до азотистой, которая является катализатором процесса химического травления меди. Во избежание растворения осаждаемой на катоде меди рекомендуется непрерывно или периодически вводить добавки веществ, связывающих азотистую кислоту, например мочевину. [18]
Существующие фоторезисты дают возможность после экспонирования и проявления получать шины шириной в 1 мк, в то время как получение шин путем термического испарения в вакууме через механические маски ограничено шириной в 100 мк. Подтравливание слоя металла и образование неровных краев в процессе химического травления обычно не превышает половины толщины. При толщине пленки 0 5 мк глубина подтравлива-ния составляет 0 2 мк. Таким образом, как разрешающая способность фоторезистов, так и размерные ограничения не лимитируют плотность компоновки, поскольку шины не бывают уже 15 - 20 мк. [19]
В наборном цехе производятся набор текста издания и его комплектовка. В цехах изготовления клише и форм офсетной, глубокой газетной и книжной высокой печати осуществляются фотопроцессы на бро-можелаткновой основе, процессы химического травления металлов ( цинка, меди, никеля, алюминия) растворами серной, азотной и других кислот, хлорным железом и другими химикатами, а также процессы гальваностегии и гальванопластики никеля, меди, хрома, олова. В печатных цехах осуществляются процессы переноса изображения с форм на бумагу. Цех отделки продукции объединяет технологические процессы брошюровки, комплектовки и шитья блока и переплетные операции. [20]
 |
Поляризационные характеристики сопряженных электрохимических реакций. [21] |
При этом два электрона могут быть получены как из зоны проводимости, так и из валентной зоны. Если они изъяты из валентной зоны, то это равносильно появлению на поверхности двух дырок, которые могут принимать участие в процессе анодного растворения. Таким образом, процесс химического травления всегда сопровождается анодным процессом на расположенном вблизи микрокатоде. Скорость растворения определяется наиболее медленной реакцией. [22]
Рассмотрим, как связаны дислокации с образующимися при травлении ямками. Нарушения в решетке приводят к появлению на поверхности кристалла областей с различной энергией химических связей. Это вызывает изменения энергии активации процесса химического травления. В тех местах поверхности, где энергия активации минимальна, происходит наиболее интенсивное травление, что и приводит к образованию ямок. При выявлении мест выхода дислокаций на кристаллической плоскости ( 111) ямки травления имеют форму треугольных углублений. [23]
С повышением температуры скорость травления значительно возрастает. Однако соляную кислоту вследствие ее летучести нагревать выше 40 С не рекомендуется. Соли железа, накапливающиеся в растворе соляной кислоты, увеличивают скорость травления, а накапливающиеся в растворе серной кислоты - значительно ее снижают. Химическое травление обычно сопровождается выделением водорода, который проникает в верхние слои металла. Вследствие этого металл становится хрупким и ломким. Для устранения указанного недостатка, свойственного процессу химического травления, в раствор серной или соляной кислоты вводят травильные присадки. Они адсорбируются на поверхности металла и замедляют процесс растворения и разрушения его, не оказывая заметного действия на растворимость окалины. [24]
Страницы: 1 2