Процесс - возврат - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Человек гораздо умнее, чем ему это надо для счастья. Законы Мерфи (еще...)

Процесс - возврат

Cтраница 1


1 Схема процесса полигонизации размещения дислокаций после. [1]

Процесс возврата может сопровождаться полигониза-цией структуры.  [2]

Процесс возврата заключается во взаимодействии, точечных дефектов с дислокациями.  [3]

Процессы возврата, таким образом, могут наблюдаться при умеренном нагреве после холодной деформации, облучения частицами высоких энергий, закалки с высоких температур.  [4]

Процесс возврата заключается во взаимодействии точечных дефектов с дислокациями.  [5]

Процессы возврата, таким образом, могут наблюдаться при умеренном нагреве после холодной деформации, облучения частицами высоких энергий, закалки с высоких температур.  [6]

Процесс возврата, который может происходить до первичной рекристаллизации или одновременно с ней, включает образование и рост субзерен. Следовательно, процесс рекристаллизации ( по определению Бека [6]) состоит из: 1) первичной рекристаллизации, т.е. образования новых зерен и их роста в деформированной матрице до тех пор, пока все новые зерна не придут в контакт друг с другом; 2) роста зерен после завершения первичной рекристаллизации. Кроме того, может происходить третичная рекристаллизация, которая, по определению Дана и Уолтера [4], включает вызванный разницей поверхностных энергий рост небольших зерен за счет более крупных и миграцию границ зерен под действием химической движущей силы.  [7]

Процесс возврата заключается во взаимодействии точечных дефектов с дислокациями.  [8]

Процессы возврата, таким образом, могут наблюдаться при умеренном нагреве после холодной деформации, облучения частицами высоких энергий, закалки с высоких температур.  [9]

10 Химический состав и механические свойства дюралюминия ( ГОСТ 4784 - 49. [10]

Процесс возврата используется на практике вместо вторичной закалки при холодной штамповке состарившегося дюралюминия.  [11]

Процесс возврата якоря в исходное состояние, так же как и срабатывание, происходит двумя ступенями. Сначала при отключении обмотки ток спадает до величины тока отпускания / ОТп, при котором электромагнитная сила становится равной силе, стремящейся возвратить якорь в исходное положение. Длительность этого процесса характеризуется промежутком времени / отп, зависящим от нагрузки, условии отключения обмотки и от задерживающего действия вихревых токов в массивных частях электромагнита и короткозамкну-тых контурах, если такие имеются. Перемещение подвижных частей в исходное положение происходит в течение времени i - AE, которое зависит от ряда факторов и в первую очередь от величины отбрасывающих якорь усилий. Процесс возврата, так же как и процесс срабатывания, определяет динамические свойства электромагнита. Особую роль он играет в электромагнитах замедленного действия. Совокупность времени отпускания и времени движения в процессе возврата составляет время возврата / возвр.  [12]

Процесс возврата якоря в исходное состояние, так же как и срабатывание, происходит двумя ступенями. Сначала при отключении обмотки ток спадает до величины тока отпускания 1ОТп, при котором электромагнитная сила становится равной силе, стремящейся возвратить якорь в исходное положение. Длительность этого процесса характеризуется промежутком времени / отп, зависящим от нагрузки, условий отключения обмотки и от задерживающего действия вихревых токов в массивных частях электромагнита и короткозамкнутых контурах, если такие имеются. Перемещение подвижных частей в исходное положение происходит в течение времени / дв, которое зависит от ряда факторов и, в первую очередь, от величины отбрасывающих якорь усилий. Время отпускания и время движения в процессе возврата составляют время возврата озвр.  [13]

14 Светлопольное ( о и тем-нопольное ( б изображения нано-кристаллической структуры N1 после ИПД и дифракционная картина с участка этой структуры размером 0 5мкм2 ( в. [14]

Процесс возврата структуры границ интенсивно развивался при 573 К в большей части объема образца.  [15]



Страницы:      1    2    3    4    5