Процесс - второе - порядок
Cтраница 3
Прямой и рамановский процессы проиллюстрированы схематически на фиг. Если отнести прямой процесс к процессам первого порядка ( однофононный процесс), то рамановский процесс является процессом второго порядка ( двухфононный процесс) с соответственно меньшей связью фононов со спин-системой. Тем не менее он может играть главную роль в спин-решеточной релаксации, что легко понять из следующего примера. Число фононов этой частоты в указанной полосе частот достигает около 1015 на 1 см3 вещества. [31]
Когда QD ] 6к, процессы поглощения фононов магнонами невозможны. Взаимодействие между тепловыми колебаниями решетки и магнонами может осуществляться только в результате процессов высшего порядка, простейшими из которых являются процессы второго порядка. Рассмотрим сначала первый процесс. Он возможен в первом приближении под действием членов второго порядка в разложении энергии магнона в ряд по степеням тепловых колебаний и во втором приближении под действием членов первого порядка в этом разложении. [32]
ЦБ, в случае правильного тетра-эдрического комплекса с четырьмя одинаковыми лигандами, теория предсказывает величину магнитного момента в пределах 3 5 - 4 2 ( гв. Это объясняется тем, что в октаэдрических и квадратных комплексах основное состояние не имеет орбитального вырождения и орбитальная составляющая возникает в результате процесса второго порядка. Ж-3) основные состояния орбитально вырождены и именно они обусловливают орбитальный вклад в магнитный момент. [33]
В рамановском же процессе участвуют любые два фонона, необходимо только, чтобы разность их частот была равна резонансной частоте спиновой системы; этому условию удовлетворяет гораздо большее число фононов, частоты которых лежат во всех участках спектра, в том числе и вблизи максимума распределения. Последнее обстоятельство приводит к тому, что при высоких температурах рамановский процесс начинает преобладать над прямым, несмотря на то, что это процесс второго порядка. [34]
Можно допустить, что излучение производит реакционно-способные радикалы, например атомы водорода и арильные радикалы. Они легко присоединяются к ароматическому растворителю или могут отрывать слабо связанный атом водорода, если он присутствует, и исчезают очень быстро, преимущественно по реакциям псевдопервого порядка. Поэтому процессы второго порядка возможны только в тех областях, в которых мощность дозы исключительно высока, например в шпорах и треках. [35]
Можно допустить, что излучение производит реакционно-способные радикалы, например атомы водорода и арильные радикалы. Они легко присоединяются к ароматическому растворителю или могут отрывать слабо связанный атом водорода, если он присутствует, и исчезают очень быстро, преимущественно по реакциям псев-допервого порядка. Поэтому процессы второго порядка возможны только в тех областях, в которых мощность дозы исключительно высока, например в шпорах и треках. [36]
IV) является наиболее важным в том случае, если спектроскопия комбинационного рассеяния применяется для решения вопросов, связанных со структурой атомов, молекул или ионов. Было отмечено, что рассмотренный процесс комбинационного рассеяния является процессом второго порядка и что интенсивности линий малы. Поэтому неудивительно, что введение лазера в качестве источника возбуждения произвело революцию в этой области спектроскопии. [37]
В действительности данное условие справедливо лишь для взаимодействия, имеющего пик на самой ГФ. Между тем, этот пик может оказаться смещенным относительно ГФ на расстояние, большее его ширины. В этом случае спаривание квазичастиц на ГФ возможно только за счет процессов второго порядка, приводящих к эффективному притяжению при любом знаке взаимодействия, в том числе и для сил отталкивания. В настоящей работе выясняется количественная сторона этого вопроса и обсуждаются некоторые физические приложения. [38]
Некоторое поглощение на колебаниях решетки наблюдается также и в полупроводниках IV группы типа алмаза, хотя в этом случае все узлы решетки электрически эквивалентны. Но это уже слабый эффект второго порядка, и его не следует смешивать с основным поглощением на колебаниях решетки. При более высоких частотах наблюдается слабое поглощение, но оно обусловлено двухфононным процессом второго порядка. [39]
Превращение центров кристаллизации в более крупные частицы происходит, в основном, за счет диффузии вещества к поверхности и последующего осаждения. Если бы скорость диффузии в растворе была лимитирующей стадией, то скорость роста кристаллов ( за исключением тех случаев, когда имеет место высокая степень пересыщения), была бы выше, чем обычно наблюдается. Марк [33], тщательно исследовавший процесс роста кристаллов, показал, что в большинстве случаев этот процесс второго порядка, а не первого, как это соответствует диффузионному механизму. По достижении некоторой определенной скорости перемешивания, скорость роста кристаллов становится независимой от скорости перемешивания. Рост кристаллов часто задерживается или совсем подавляется вследствие адсорбции на них красителей, тогда как на скорость растворения они не оказывают заметного влияния. Это указывает, что какой-то другой фактор, а не диффузия, решающим образом определяет скорость роста кристаллов, особенно в случае мелких частиц, для которых характерно наивысшее значение диффузионного потока. Скорость потери молекул растворителя сольва-тированными ионами ряда металлов намного меньше, чем скорость диффузии [34], и высвобождение растворителя может стать фактором, контролирующим скорость роста. Если в растворе присутствуют посторонние вещества, индукционный период, скорость роста кристаллов и даже форма кристаллов могут измениться. Например, добавление желатина при осаждении сульфата бария значительно удлиняет индукционный период и снижает скорость роста кристаллов. Дейвис и Нанколлас [36] обнаружили, что многие органические вещества, например бензоат калия, даже при низких концентрациях уменьшают скорость перекристаллизации хлорида серебра. Эозин может вообще предотвратить рост кристаллов. [40]
Как известно, тепловое движение атомов твердого тела рассматривают как совокупность нормальных малых колебаний кристаллической решетки. В квантовой теории вместо этих колебаний вводится понятие о фононах как о некоторых распространяющихся по решетке квазичастицах, обладающих определенными энергиями и направлениями движения. Если частота возбуждающего света попадает в область прозрачности кристалла, то в результате взаимодействия света с веществом происходит рассеяние с той же частотой или с измененной частотой. Процессы рассеяния света в теории рассматриваются как процессы второго порядка, проходящие через промежуточные виртуальные состояния. При релеевском рассеянии процессы поглощения и излучения когерентно связаны: такое рассеяние является упругим соударением фотона с атомами кристалла. При комбинационном рассеянии происходит неупругое столкновение фотона с фононами. Из-за изменения частоты когерентность нарушается, однако сохраняются кинематические соотношения, обусловленные выполнением законов сохранения энергии и импульса. [41]
Другой практический прием решения подобного рода задач дает способ аппроксимации законов распределения. Проведенные [20, 49, 72] исследования показывают, что случайные потоки требований в большинстве случае имеют пуассоновский характер, а распределения объемов массивов информации, обрабатываемой в АСУ, обычно нормальные. В первом случае для характеристики распределения достаточно знать один параметр - математическое ожидание, во втором случае два параметра - математическое ожидание и дисперсию. Аппроксимация входящих потоков и продолжительности решения задач процессами второго порядка позволяет достаточно быстро получить результаты, которые затем могут быть уточнены аналитически или статистическим моделированием. [42]
 |
Механизм, предложенный для реакции обмена аминокислоты ( N - О с соответствующим хелатом меди. [43] |
Кинетика октаэдрических систем кобальта и никеля описывается смешанными уравнениями первого и второго порядков, большая доля обмена реализуется по маршруту реакции обмена, который не зависит от концентрации глицина. Это подтверждает предположение о том, что обмен для тетрагональных, почти плоских квадратных комплексов меди реализуется по бимолекулярному механизму замещения. Первый этап представляет собой замещение слабо связанной аксиальной воды входящим ли-гандом. Затем следует перегруппировка в тригонально бипирамидальную структуру, разрыв одного из хелатных колец и возвращение к плоской структуре. На этом этапе, видимо, реализуется процесс второго порядка, так как оба лиганда идентичны. [44]
Страницы: 1 2 3