Процесс - выращивание
Cтраница 1
 |
Принципиальная схема производства кормовых дрожжей из гидролизной. [1] |
Процесс выращивания ( накопления, размножения) дрожжей длится несколько часов при пропускании через сбраживаемое сусло воздуха ( примерно 60 - 80 м3 / ч на 1 м3 жидкости) и поддержании температуры на оптимальном уровне путем охлаждения. [2]
 |
Прибор Штебера для выращивания кристаллов из расплава. [3] |
Процесс выращивания начинается с подъема температуры верхнего и нижнего нагревателей до точки, при которой вещество в тигле полностью расплавляется. После этого температура нижнего нагревателя медленно понижается, во-первых, уменьшением подачи энергии к нагревателю и, во-вторых, пропусканием охлаждающего вещества через змеевик F; при этом температура верхнего нагревателя оставляется выше точки плавления кристаллизуемого вещества. Так как наиболее холодная часть расплава находится в самом низу тигля, то в этой его точке появляются благоприятные условия для образования центров кристаллизации. [4]
Процесс выращивания методом испарения и конденсации простого однокомпонентного вещества в глубоком вакууме считается самым простым и управляемым. Однако практика последних лет показывает, что наиболее совершенные эпитаксиальные пленки с контролируемыми и воспроизводимыми электрофизическими параметрами получаются в процессах роста, когда кристаллизующееся вещество выделяется на подложке в результате гетерогенной химичесщй реакции. Равновесие между поверхностью кристалла и внешней фазой определяется в случае вакуумного напыления величиной давления насыщенных паров, а в случае химических процессов - величиной константы равновесия химической реакции между веществом образующегося кристалла и всеми газообразными компонентами реакции. Исследование равновесия между выделяющейся твердой фазой и газообразными компонентами гетерогенной химической реакции требует детального изучения всех возможных параллельных и последовательных реакций и температурных зависимостей их констант равновесия. При этом надо учитывать и то, что на начальных стадиях роста возможны реакции между материалом подложки и компонентами реагирующей газовой смеси. Из этого следует, что процессы вакуумного напыления значительно проще для исследования. [5]
Процесс выращивания заключается в следующем. Исходный материал загружается в тигель, где затем и расплавляется. [6]
Процесс выращивания заканчивается при обязательном создании обратного конуса, чтобы в монокристалле не зародились дислокации при отрыве его от расплава вследствие термоудара. [7]
Процесс выращивания монокристаллов осуществляется следующим образом. Цилиндрическая тонкостенная молибденовая трубка ( контейнер) укрепляется на молибденовом тегогопроводящем стержне с цангой, установленной, соответственно, на водоохлаждаемом штоке механизма перемещения. Коаксиальный нагреватель, в нижней части которого устанавливается вольфрамовая тепловая диафрагма, обеспечивает необходимый осевой градиент температуры. Затравочный кристалл располагается в нижней части молибденовой трубки, а расплав - в верхней части. Материал в трубке расплавляется таким образом, чтобы частично проплавлялся затравочный кристалл. После определенной выдержки, благодаря которой устанавливается температура расплава, включается механизм перемещения. [8]
 |
Схемы реакторов для пиролиза природного газа.| Схема установки для получения монокристаллов тугоплавких металлов. [9] |
Процесс выращивания монокристаллов с помощью плазменной дуги предъявляет к конструкции плазмотрона специфические требования. С одной стороны, нужно обеспечить аксиальную устойчивость плазменной дуги, что достигается ее газодинамическим сжатием. [10]
 |
Внешний вид тигля с загрузкой из технического карбида. [11] |
Процесс выращивания монокристаллов производится в атмосфере инертного газа, поэтому аргон в установке очищается с помощью титанового поглотителя, нагретого до температуры 900 - 950 С. [12]
Процесс выращивания леса не завершается посевом или посадкой. Необходимо обеспечить приживаемость культур, создать условия для их дальнейшего роста и развития. Достигаются эти условия уходом за культурами. [13]
Процесс выращивания посевного материала в колбах в лабораторных условиях состоит из двух ступеней - выращивания в маточных и посевных колбах. [14]
Процесс выращивания совершенного эпитаксиального слоя требует специфического оборудования и сверхчистых материалов. Эта операция, если не требуется создания скрытых слоев, выполняется на специализированных предприятиях цветной металлургии, изготавливающих слитки кремния и кремниевые подложки. Таким образом, предприятия, изготавливающие полупроводниковые микросхемы, получают кремниевые подложки с уже готовым эпитаксиальным слоем. [15]
Страницы: 1 2 3 4