Процесс - выращивание
Cтраница 3
В процессе выращивания кормовых дрожжей на грубом фил трате барды в среду вносится минеральное питание. В случае выр щивания дрожжей на грубом фильтрате зерновой или зерно-карт фельной барды добавляют только азотное питание. [31]
В процессе выращивания кормовых дрожжей на грубом фильтрате барды в среду вносится минеральное питание. В случае выращивания дрожжей на грубом фильтрате зерновой или зерно-картофельной барды добавляют только азотное питание. [32]
Перед началом процесса выращивания расплав, как правило, выдерживается в течение 1 - 1 5 часов для полной гомогенизации вещества. [33]
 |
Параметры некоторых ортоферритов ReFOs. [34] |
После окончания процесса выращивания кристалл подвергают отжигу для уменьшения Нс, извлекают из кристаллизационной камеры и отрезают от затравки. [35]
Основными показателями процесса выращивания являются: концентрация микроорганизмов в культураль-ной жидкости, содержание в биомассе примесей, включая и остаточные углеводороды, физиологическое состояние микробных клеток и себестоимость биомассы. Поэтому от проведения процесса выращивания во многом зависят и последующие технологические операции, связанные с получением товарного продукта. [36]
 |
Схема установки Разрезная сфера 300 454. [37] |
Повышение эффективности процесса выращивания алмаза на затравке методом температурного градиента является важной практической задачей. Ее решение может быть осуществлено посредством оптимизации параметров реакционной ячейки и созданием условий для получения кристаллов с заданными свойствами. [38]
При длительности процесса выращивания пленки SiO2 до 2 ч ее толщина линейно зависит от времени, после чего эта зависимость становится параболической. В этом случае скорость окисления возрастает по сравнению с предыдущим случаем в 1 5 - 2 раза, однако пленки получаются менее плотными, пористыми, малопригодными для план ар ной технологии. [39]
 |
Модель образования электризованной микротрещины на поверхности оксидированного алюминия. [40] |
Помимо описания процесса выращивания отдельных кристаллов рассмотрено современное состояние теории структуры карбидов и боридов. Приведены диаграммы состояния М - С ( где М - Ti, Zr, Nb, Та), кристаллические структуры представленных на них фаз и ряд физических характеристик соответствующих карбидов. Помимо указанных видов соединений для d - элементов IV-VI групп характерны также типы М2С, MB, MBi2 и ряд других. [41]
После окончания процесса выращивания молоди рыб в бассейны, где выращивались артемии, прекращают подачу воды, что приводит к увеличению солености. Вода в бассейнах высыхает, и после этого яйца артемии собирают, высушивают и хранят при пониженной температуре до следующего сезона. [42]
Температуру в процессе выращивания снижают либо вручную - один-два раза в сутки ( желательно чаще, но на более малые значения), в соответствии с подобранным режимом снижения, либо с помощью специальных устройств ( § 5.4), позволяющих уменьшать ее плавно и непрерывно. Автоматическое снижение температуры, разумеется, предпочтительнее ручного. [43]
В упомянутой классификации процессов выращивания многокомпонентный рост представляют как рост посредством химического взаимодействия. [44]
В начальный момент процесса выращивания производили затравливание кристаллов, которое заключается в создании кратковременных больших пересыщений. Дело в том, что кристаллы с наиболее совершенной структурой растут, когда пересыщения не слишком велики. [45]
Страницы: 1 2 3 4