Процесс - генерация - носитель
Cтраница 1
 |
Уровень Ферми для полупроводников, содержащих только равновесные носители заряда ( а, и квазиуровни Ферми для полупроводников, содержащих избыточные электроны и дырки ( б. [1] |
Процесс генерации носителей характеризуют скоростью генерации g, выражающей число носителей ( или число пар носителей), ежесекундно возбуждаемых в единице объема полупроводника. [2]
Именно поэтому процесс генерации носителей в переходе не уравновешивается процессом рекомбинации. [3]
 |
Генерация ( а и рекомбинация ( 6 носителей заряда в р-л-переходе. [4] |
Именно поэтому процесс генерации носителей в переходе не уравновешивается процессом рекомбинации. Обратный ток, вызванный генерацией носителей в р - - пе-реходе, называют генерационным током ( / геи) - Следует, однако, помнить, что ток насыщения, связанный с экстракцией неосновных носителей заряда и рассмотренный в § 3.2 и 3.4, также вызван генерацией неосновных носителей заряда, но генерацией в прилегающих к переходу областях. [5]
Одновременно с процессом генерации носителей зарядов протекает процесс их рекомбинации - встречи электронов с дырками, сопровождающийся возвратом электрона из зоны проводимости в валентную зону и исчезновением свободных зарядов. Чаще всего рекомбинация происходит на дефектах кристаллической решетки ( нарушения кристаллической структуры, случайные примеси, трещины, дефекты в поверхностных слоях); эти дефекты служат центрами рекомбинации. [6]
В каких случаях процесс генерации носителей в р-п-переходе влияет на ВАХ диода. [7]
В каких случаях следует учитывать процесс генерации носителей в р-п-пере-ходе при исследовании вольт-амперных характеристик диодов. [8]
Это указывает на большую роль процессов генерации носителей в р - га-переходе даже для сравнительно тонких переходов, особенно при высокой концентрации носителей в р - и в-областях. [9]
Это указывает на большую роль процессов генерации носителей в р - n - переходе даже для сравнительно тонких р - n - переходов, особенно при высокой концентрации носителей в р - и п-областях. [10]
Подобные доводы справедливы и для процесса генерации носителей, так как было бы странно. [11]
Равновесие наступает в том случае, когда процесс генерации носителей в области умножения уравновешивается рекомбинацией в объеме. [12]
На рис. 8.17 а цифрами / и 2 показан процесс генерации носителей тока, происходящий через ловушки Ел, цифрами 3 и 4 - процесс их рекомбинации. В отсутствии внешнего поля между этими процессами устанавливается равновесие, которому отвечает определенная степень заполнения ловушек электронами. [13]
Это значит, что в обратно смещенном переходе рекомбинационные процессы прекратятся, а процесс генерации носителей интенсифицируется. Равновесие, таким образом, будет сдвинуто в сторону генерации электронно-дырочных пар. [14]
Если концентрация носителей станет меньше равновесной величины ( pnini2), то возникает процесс генерации носителей, который продолжается до восстановления состояния теплового равновесия. Генерацию носителей можно объяснить как процесс, обратный трем описанным типам рекомбинации. А именно: а - генерация носителей с поглощением кванта света; б - ударная ионизация с образованием электронно-дырочной пары в результате столкновения с носителем, обладающим высокой энергией ( см. раздел 2.4); в - генерация носителей под действием теплового возбуждения. [15]
Страницы: 1 2 3