Процесс - генерация - носитель
Cтраница 2
 |
Зависимость lga0 ( ffo больше OQ. Этот факт был. [16] |
Мы полагаем, что единственным процессом, сильно зависящим от температуры, является процесс генерации носителей тока. В таком случае предэкспоненциаль-ный множитель в уравнении проводимости прямо пропорционален подвижности носителей. [17]
Если на обоих переходах транзистора напряжение обратное, через них идут токи, обусловленные процессами тепловой генерации носителей в объеме полупроводника, областях объемного заряда и на невыпрямляющих контактах, а также утечками. При достаточно больших напряжениях происходит лавинное умножение. [18]
Соответственно обратный ток эмиттера / ЭБО представляет собой составляющую эмиттерного тока, значение которого определяется процессами генерации носителей в эмиттере, базе и в области эмиттерного перехода. [19]
Если на обоих переходах транзистора напряжение обратное, то через них проходят токи, обусловленные процессами тепловой генерации носителей заряда в объеме полупроводника, областях объемного заряда и на невыпрямляющих контактах, а также утечками. При достаточно больших напряжениях происходит лавинное умножение. [20]
Полученная величина dp / dt положительна; это означает, что в области объемного заряда идет процесс генерации носителей. Кроме того, такое значение др / dt больше, чем может быть в однородном материале. [21]
 |
Структура фоторе - [ IMAGE ] Фоторезистор в. [22] |
Так как скорость генерации неравновесных носителей заряда остается постоянной при постоянном световом потоке, то скорость рекомбинации быстро нарастает и достигает скорости процесса генерации носителей. В результате устанавливается статическое состояние для неравновесной концентрации носителей. [23]
В самой области объемного заряда электронно-дырочного перехода также идет процесс тепловой генерации носителей. Получившиеся при этом пары электрон-дырка разделяются электрическим полем перехода, что приводит к появлению так называемой генерационной составляющей тока. [24]
Измерение объемного генерационного времени носителей заряда в МДП-структурах основано на исследовании процесса генерации носителей заряда в обедненной области структуры при ее переходе из неравновесного состояния глубокого обеднения в квазиравновесное состояние с образованием инверсного слоя. [25]
Фоторезисторы обладают достаточной чувствительностью не только к излучению специальных источников, но и к излучению окружающего фона в широком диапазоне спектра. Поэтому даже в отсутствие излучения от специального источника в чувствительном элементе фоторезистора постоянно происходит процесс генерации носителей тока, приводящий к соответствующему изменению проводимости. Допустим, что на чувствительный элемент фоторезистора за одну секунду попадает п квантов. Если проследить за темпом поступления квантов в более короткие последовательные и равные интервалы времени, то можно заметить, что количество поступающих квантов в них различно, хотя, в среднем, при этом обеспечивается поступление п квантов за одну секунду. Эти случайные отклонения числа квантов от их среднего значения ( флюктуации) и обусловливают появление радиационного ( фотонного) шума фоторезисторов. [26]
Очевидно, при Дп, Ар 0 неравновесная концентрация больше равновесной, а при An, Л / 7 0 - меньше равновесной. Процесс, приводящий к появлению свободных электронов или дырок, или тех или других носителей одновременно, называется процессом генерации носителей заряда, а обратный процесс, приводящий к исчезновению пары свободных электрона и дырки, - процессом рекомбинации носителей заряда. [27]
Таким образом, входная статическая характеристика будет иметь участок насыщения тока затвора, если полевой транзистор сделан из материала с малой шириной запрещенной зоны. В этом случае на обратные токи через p - n - переход ( затвор) практически не будут влиять процессы генерации носителей в области объемного заряда. [28]
Сразу же после начала освещения, по мере увеличения концентрации неравновесных носителей заряда начинает увеличиваться интенсивность процесса рекомбинации. Поскольку скорость генерации неравновесных носителей заряда остается постоянной при постоянной интенсивности освещения, то интенсивность рекомбинации скоро достигает интенсивности процесса генерации носителей, и устанавливается стационарное состояние неравновесной концентрации фотоносителей. [29]
Очевидно, при An, A / J 0 неравновесная концентрация больше равновесной, а при А / г, Д / 7 О меньше равновесной. Процесс, приводящий к появлению свободных электронов или дырок или тех или других носителей одновременно, мы будем называть процессом генерации носителей заряда, а обратный процесс, приводящий к исчезновению пары свободных электрона и дырки, - процессом рекомбинации носителей заряда. [30]
Страницы: 1 2 3