Cтраница 3
Если эта деформация заходила слишком далеко, то кристалл внезапно перебрасывался в новое равновесное положение, принимая форму ABsCfD, отмеченную черточками. Исходная и конечная формы кристаллов являются в отношении друг друга зеркально симметричными, подобно кристаллам, образующим двойник. Повидимому, этот процесс перестройки монокристалла может считаться процессом двойникования путем упругого сдвига. [31]
Владимирский [84] и Лифшиц [149, 163] создали макроскопическую теорию двойникования. Лифшиц и Обреимов [150], а также Конторова и Френкель [108] проанализировали процесс двойникования на атомарном уровне. [32]
Пластическое деформирование двойникованием существенно отличается от деформирования скольжением. Двойникование происходит, когда в результате приложения касательного напряжения одна часть кристаллической решетки становится зеркальным отражением кристаллической решетки исходного кристалла. Приведенное здесь описание относится к механическому двойникованию и не пригодно для двойников, образующихся при отжиге металлов после холодной обработки. Процесс двойникования при приложении касательного напряжения показан на рис. 3.14. В нижней части рисунка показана полоса двойникования, грани и направление двойникования на довольно большой части кристалла; в верхней части - подробности смещения атомов в двойнике и образование зеркально отраженной структуры при деформировании двойникованием. [33]
Диаграмма изотермического превращения аустенита с наложенными на нее кривыми охлаждения. [34] |
Мартенсит имеет объемноцентрированную тетрагональную кристаллическую решетку. Превращение ГЦК решетки аустенита в тетрагональную решетку происходит вследствие соответствия этих решеток. Тетрагональная ячейка на рис. 84 вписана внутрь аустенитной решетки. Аустенит почти мгновенно превращается в мартенсит путем массового сдвига атомов железа без обмена местами на расстояние, не превышающее межатомное. Таким образом, мартенситное превращение напоминает процесс двойникования. [35]
Вопреки сведениям, приведенным в работе [1], имеются экспериментальные данные, свидетельствующие о существовании кристаллов и без трехмерной периодичности структурных единиц. Этот вид симметрии обнаружен также у электрохимически выращенных усов-меди. Высокоразрешающим электронным микроскопом выявлены подобные кристаллы Fe, Ni и Pt, а также микрокристаллы в форме пентагональных пирамид и икосаэдров ( например, частицы Ag и Аи размером до 100 нм в атмосфере аргона) на начальной стадии образования тонких металлических пленок, получаемых путем вакуумного напыления. По мнению авторов работы [25], рост пентагональных пирамид обусловлен не процессом двойникования, а, по-видимому, отложением атомов на зародышах из пентагональных пирамид, состоящих из шести атомов. [36]
Известно, что глубина проникновения рентгеновских лучей в кристалл тем больше, чем менее совершенным является его строение и чем меньшую роль в рассеянии лучей играет так называемая вторичная экстинкция, которая обусловлена дополнительным ослаблением интенсивности падающей на кристалл радиации благодаря ее отражению от вышележащих строго параллельных слоев атомов идеально совершенного кристалла. В использованном спектрографе клин непосредственно соприкасается с поверхностью кристалла. Поэтому роль входной щели прибора играет расстояние от поверхности кристалла до наиболее глубоко лежащего слоя, принимающего участие в отражении рентгеновских лучей. Это делает форму и, главное, ширину рефлекса на рефлексограмме очень чувствительными к степени совершенства различных участков отражающего кристалла. Систематически измеряя эти величины по мере перемещения клина вдоль поверхности кристалла, можно построить своеобразные топографические карты, характеризующие степень совершенства отдельных его участков. Так, было, например, обнаружено значительное расширение рефлексов, возникавших при отражении рентгеновских лучей от областей кристалла, расположенных между двумя блоками и образовавшихся в результате процесса иррационального двойникования. Это хорошо согласуется с представлениями Бриллиантова и Обреимова о том, что в пространственной решетке кристалла вдоль такой промежуточной полосы имеется набор всевозможных ориентации, промежуточных между ориентациями соседних блоков. [37]