Введение - легирующая примесь
Cтраница 1
Введение легирующих примесей приводит к возникновению дополнительных максимумов, причем чем больше концентрация примесей, тем выше интенсивность излучения. Зависимость интенсивности излучения от плотности тока инжекции и физико-химического состояния кристалла позволяет применять рекомбинационное излучение для выявления дефектов структуры, связанных с неоднородным токораспреде-гением и наличием механических дефектов. [1]
 |
Объемный участок интегральной микросхемы с завершенными технологическими операциями. [2] |
Диффузией называется введение легирующих примесей третьей или пятой группы элементов таблицы Менделеева в чистый полупроводниковый кристалл. [3]
Все особенности введения легирующих примесей в этих двух случаях должны быть различны, причем должно проявиться различие также между донорными и акцепторными примесями. [4]
Одним из перспективных методов введения легирующих примесей является ионная имплантация. [5]
 |
Выращивание монокристалла фосфида индия из раствора в избытке индия по. пературе Тг на диаграммах. [6] |
Метод плавающей зоны очень удобен для введения легирующих примесей. С этой целью в карманы или каналы в стержне вкладывают добавки примеси или вводят примесь в виде летучих соединений в атмосферу аппаратуры. [7]
При оптимальных условиях осаждения и при введении соответствующих легирующих примесей ( для легирования SnO2 применяют индий) получаемые пленки имеют коэффициент пропускания, близкий к 80 %, и удельное сопротивление порядка 10 - 2 Ом см. Этот простой метод осаждения пленок представляется перспективным для дальнейшего применения. [8]
Полупроводниковые интегральные микросхемы изготовляют на одном кристалле введением легирующих примесей в определеннее микрообласти. Современные технологии позволяют создавать в приповерхностном объеме кристалла весь набор активных и пассивных элементов, а также межэлементные соединения в соответствии с топологией схемы. [9]
Существенно повысить концентрацию носителей тока - электронов или дырок - позволяет введение легирующих примесей. [10]
 |
Спектры поглощения LiNbO3 с примесями Си, Мп, Fe. [11] |
Рост дифракционной эффективности при регистрации голограмм в кристаллах ниобата лития, содержащих различные примеси, представлен на рис. 4.14. Ввод примесей, принадлежащих ко второй группе, существенно увеличивает чувствительность к голографической записи, а примеси первой группы - незначительно. Введение легирующих примесей, с одной стороны, увеличивает число фотоионизованных электронов, с другой - концентрацию ловушек для электронов. Эти достаточно тривиальные соображения способны объяснить наблюдаемые улучшения параметров голограмм при использовании легированных электрооптических материалов. Однако критерии выбора подходящих ионов в настоящее время окончательно не выяснены. [12]
С целью улучшения механических свойств сталей применяют легирующие присадки - никель, хром, молибден, вольфрам, титан и пр. Введение легирующих примесей увеличивает стоимость и дефицитность стали. [13]
Эпитаксиальная пленка может быть легирована различными примесями. Для введения легирующей примеси в наращиваемую эпитаксиальную пленку используют три способа. По первому способу растворяют необходимую примесь в источнике полупроводникового материала. Второй способ предусматривает использование легирующей примеси в элементарном виде и размещение ее в трубе между источником полупроводникового материала и подложкой. Иногда легирующую примесь размещают в отдельной температурной зоне рабочей трубы. Третий способ состоит в добавлении легирующей примеси к летучим йодидам. [14]
Режущие инструменты - резцы, фрезы, сверла - из углеродистой стали при незначительном нагреве ( около 200 С) теряют твердость, поэтому применять их при обработке металла с большой скоростью резания невозможно. При введении определенных легирующих примесей сталь приобретает красностойкость и износостойкость, получает глубокую прокаливаемость, равномерную закалку и значительно меньше напряжений, чем углеродистая сталь; она имеет высокую прочность, твердость и хорошо противостоит ударным нагрузкам. [15]
Страницы: 1 2 3